[发明专利]绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，包括发射极结构和栅极结构，其中：

所述发射极结构位于所述栅极结构外的区域；

所述栅极结构包括平行设置的多组栅极；

每组栅极包括沿第一方向间隔设置的多个沟槽栅单元、以及用于连接所述多个沟槽栅单元的连接部，所述沟槽栅单元的垂直于第一方向的长度大于相邻两个沟槽栅单元之间的间距，所述连接部设置于所述多个沟槽栅单元靠近所述发射极结构的一侧。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，在每组栅极内，所述多个沟槽栅单元等间距排布。

3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，所述栅极结构的沟槽栅单元呈阵列排布。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，所述连接部为多晶硅连接部。

5.如权利要求1～4任一项所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，具体包括：N型半导体衬底，以及设置于所述N型半导体衬底的一侧且沿远离所述N型半导体衬底的方向依次设置的P型阱、N型发射极、所述连接部和金属层，其中：所述金属层与所述N型发射极位置相对的部分形成所述发射极结构；所述多个沟槽栅单元设置于所述N型发射极靠近所述金属层的一侧表面并沿朝向所述N型半导体衬底的方向贯穿至所述N型半导体衬底。

6.如权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，还包括位于所述N型发射极与所述连接部之间的第一介质层，以及位于所述连接部与所述金属层之间的第二介质层。

7.如权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于，还包括位于所述多个沟槽栅单元与所述发射极结构之间的第三介质层。

8.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管器件。

9.一种绝缘栅双极型晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括：

形成栅极结构，其中：所述栅极结构包括平行设置的多组栅极，每组栅极包括沿第一方向间隔设置的多个沟槽栅单元、以及用于连接所述多个沟槽栅单元的连接部，所述沟槽栅单元的垂直于第一方向的长度大于相邻两个沟槽栅单元之间的间距，所述连接部设置于所述多个沟槽栅单元靠近所述发射极结构的一侧；

形成发射极结构，其中：所述发射极结构位于所述栅极结构外的区域。

10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述形成栅极结构包括：

形成沟槽栅单元；

形成第一介质层；

形成连接部。