[发明专利]一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法

权利要求书

1.一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其包括如下：

(1)将铜箔表面清洗干净放入脉冲激光沉积系统腔体内的样品台上，作为柔性衬底；

(2)将Sb掺杂的SnO₂即ATO靶材装入脉冲激光沉积系统的靶头上；靶材与衬底的距离为40～90mm；

Sb掺杂的质量百分比含量为0＜Sb≤30％；

(3)将脉冲激光沉积系统的本底真空度抽至3.0×10^-3Pa以下，通入大于0且小于、等于50Pa的氧气作为生长气体，衬底温度为200℃到700℃，进行沉积得到50～1000nm厚的ATO薄膜层；

(4)取出衬底，在ATO层表面用掩模版遮盖，留出底电极位置后，再将其放入脉冲激光沉积系统的样品台上；

(5)将BTS和BZT靶材分别装入脉冲激光沉积系统的靶头上；

(6)将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至1.0×10^-3Pa以下，然后加热衬底至400～700℃，使用0～50Pa的O₂作为生长气体，进行沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为100～500nm；然后使用0～50Pa的O₂作为生长气体，进行沉积得到BZT薄膜层，薄膜厚度为100nm-500nm；最后再使用0～50Pa的O₂作为生长气体，进行沉积得到BTS薄膜层，薄膜厚度为100～500nm；

(7)取出样品，在BTS薄膜和底电极ATO层表面上利用掩膜版制备金属电极，实现柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的整体制备。

2.根据权利要求1所述的一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)的铜箔厚度为1微米-1毫米，纯度≥98％，表面粗糙度≤300纳米。

3.根据权利要求1所述的一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)的Sb掺杂的质量百分比含量为3～20％。

4.根据权利要求1所述的一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)或步骤(5)的靶材是按照常规制备方法自制或者任意市售的产品。

5.根据权利要求1所述的一种柔性BTS/BZT/BTS多层薄膜变容管的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的ATO和步骤(6)的BTS、BZT和BTS薄膜层的厚度通过调节制备工艺参数或沉积时间来控制。