[发明专利]一种AMOLED时序控制电路及时序控制方法有效

专利信息
申请号: 201810267217.7 申请日: 2018-03-28
公开(公告)号: CN110322839B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 周兴雨 申请(专利权)人: 上海和辉光电股份有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 201506 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 amoled 时序 控制电路 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种AMOLED时序控制电路,其特征在于,包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、电容(C1)及有机发光二极管(D1);

所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于扫描控制信号线(Sn),第一端电性连接于数据信号线(Data),第二端电性连接于第一节点(N1);

所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第二节点(N2),第一端电性连接于第一节点(N1),第二端电性连接于第三节点(N3);

所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于扫描控制信号线(Sn),第一端电性连接于第二节点(N2),第二端电性连接于第三节点(N3);

所述第四薄膜晶体管(T4)的栅极电性连接于第二发光信号线(En2),第一端电性连接于第六薄膜晶体管(T6)的第二端,第二端电性连接于第一节点(N1);

所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电性连接于第二发光信号线(En2),第一端电性连接于第三节点(N3),第二端电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极;

所述第六薄膜晶体管(T6)的栅极电性连接于第一发光信号线(En1),第一端电性连接于电源电压(ELVDD),第二端电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的第一端;

所述电容(C1)的第一端电性连接于第二节点(N2);第二端电性连接于电源电压(ELVDD);

所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的第二端,阴极接地;

所述第二薄膜晶体管(T2)为驱动薄膜晶体管;

还包括:

设置于第一薄膜晶体管(T1)第二端与第一节点(N1)之间的第七薄膜晶体管(T7),所述第七薄膜晶体管(T7)的栅极电性连接于第二节点(N2),第一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)第二端,第二端电性连接于第一节点(N1);

设置于第一薄膜晶体管(T1)第二端与第三薄膜晶体管(T3)之间的第八薄膜晶体管(T8),所述第八薄膜晶体管(T8)的栅极电性连接于第二节点(N2)和电容(C1)的第一端、且与所述第二薄膜晶体管(T2)共栅极,第一端电性连接于第一薄膜晶体管(T1)第二端,第二端电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的第二端和第三节点(N3)。

2.根据权利要求1所述的AMOLED时序控制电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第七薄膜晶体管(T7)、第八薄膜晶体管(T8)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、或非晶硅薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的AMOLED时序控制电路,其特征在于,所述第八薄膜晶体管(T8)与第二薄膜晶体管(T2)对称设置,且二者的沟道宽度相同。

4.根据权利要求1所述的AMOLED时序控制电路,其特征在于,所述扫描控制信号线(Sn)的输入端、第一发光信号线(En1)的输入端及第二发光信号线(En2)的输入端均设有用于与外部时序控制器连接的连接端子。

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