[发明专利]基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810267605.5 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108470835B 公开(公告)日: 2019-10-29
发明(设计)人: 高立国;马廷丽;王立坤;曹俊媚 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 124221 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 透明电极 过渡金属碳化物 空穴传输层 太阳能电池 氮化物 二维 导电性 对电极 制备 太阳能电池材料 太阳能电池技术 透明电极表面 导电性材料 电子传输层 掺杂材料 光吸收层 吸收层 光伏 两层 涂覆 掺杂 电池 替代
【权利要求书】:

1.一种基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述的钙钛矿太阳能电池基本结构包括透明电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、对电极;采用去除金属连接层的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes替代钙钛矿太阳能电池中的结构或材料,其它结构或材料与常规钙钛矿太阳能电池材料相同;所述常规钙钛矿太阳能电池的结构包括透明电极、电子传输层材料、钙钛矿吸光层、空穴传输层材料和对电极;所述常规钙钛矿太阳能电池的材料为:透明电极为FTO或ITO,电子传输层材料为TiO2、SnO2、ZnO、WOx、CeOx、Nb2O5、In2O3、CdS、Bi2S3、CdS量子点或C60,钙钛矿吸光层的主体结构为FAMAPbI3、MAPbI3、BaSnO3、掺杂Cs离子或掺杂Br离子,空穴传输层材料为PEDOT、PSS、Spiro或EH44,对电极为Au、Ag、Cu、Al、IZO或C;所述的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes的化学通式用Mn+1XnTz表示,其中,M包括过渡族金属,包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Sc;X指C或N;n值为1-3;Tz指表面基团,包括O、OH、F、NH3、NH4

2.根据权利要求1所述的一种基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,采用去除金属连接层的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes替代钙钛矿太阳能电池中透明电极、空穴传输层、对电极的任意一层,其它结构或材料与常规钙钛矿太阳能电池材料相同。

3.根据权利要求1所述的一种基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,采用去除金属连接层的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes同时替代钙钛矿太阳能电池中透明电极、空穴传输层、对电极的任意两层,其它结构或材料与常规钙钛矿太阳能电池材料相同。

4.根据权利要求1所述的一种基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,采用去除金属连接层的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes作为掺杂材料掺杂到钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸收层或空穴传输层的材料中,其它结构或材料与常规钙钛矿太阳能电池材料相同。

5.根据权利要求1所述的一种基于二维过渡金属碳化物或氮化物的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,采用去除金属连接层的二维过渡金属碳化物或氮化物MXenes作为导电性材料涂覆于透明电极表面,增加透明电极的导电性,其它结构或材料与常规钙钛矿太阳能电池材料相同。

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