[发明专利]一种光子晶体光纤的存贮方法

权利要求书

1.一种光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤一：沿待存贮光子晶体光纤的两端分别截掉一定长度的光纤；

步骤二：对光纤的两个端头进行预处理；

步骤三：将两个热缩套管分别套入相对应的预处理后的端头，并使用熔接机的加热槽加热热缩套管，使热缩套管与端头相对固定；

步骤四：将步骤三中设置有热缩套管的光子晶体光纤放置在环境温度为15℃～35℃、相对湿度为20％～55％的标准气压环境中。

2.根据权利要求1所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：在步骤二中，对光纤的两个端头进行预处理为对光纤的两个端头进行熔接处理或烧球处理。

3.根据权利要求2所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：熔接处理为对光纤的两个端头分别熔接一段长度为l2的普通光纤，熔接方式采用单模熔接，熔接主放电时间t，功率为P。

4.根据权利要求2所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：烧球处理为将步骤二中的光纤放入熔接机的熔接室中，将光纤的两个端头分别烧熔成球，其中，待存贮的光子晶体光纤包层直径为D1，所烧球的直径为D2。

5.根据权利要求1所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：在步骤一中，截掉的光纤的长度为45cm-55cm。

6.根据权利要求3所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：普通光纤的长度l2的范围是20cm～35cm。

7.根据权利要求3所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：当待存贮光子晶体光纤的包层直径为125μm时，普通光纤也选择包层直径为125μm光纤，此时主放电时间t的范围为1600ms～2000ms，主放电功率P的范围为标准0bit～标准-20bit；当待存贮光子晶体光纤的包层直径为80μm时，普通光纤也选择包层直径为80μm光纤，此时主放电时间t的范围为800ms～1200ms，主放电功率P的范围为标准-20bit～标准-40bit。

8.根据权利要求4所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：将步骤二中的光纤放入熔接室时，光纤端面位置应超过熔接室中间加热源的位置，超出长度范围为15μm～25μm。

9.根据权利要求4所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：所烧球的直径D2＝1.5D1～2.5D1。

10.根据权利要求2所述的光子晶体光纤的存贮方法，其特征在于：在步骤三中，当采用熔接处理时，热缩套管长度l3的范围为35mm～40mm；当采用烧球处理时，热缩套管长度l3的范围为25mm～30mm。