[发明专利]一种漏磁信号增强结构

权利要求书

1.一种漏磁信号增强结构，其特征在于，包括：磁芯、磁敏传感器和铁氧体；铁氧体安装在磁敏传感器上方，铁氧体安装在磁芯下方正中处，磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐；磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号；

铁氧体的横截面边长式中铁氧体的横截面边长式中l₀为系统应检出表面缺陷的最小宽度，l′₀为系统应检出表面缺陷的最小深度，l₄为磁芯宽度，l₅为磁芯的长度，l₆为磁芯的高度，铁氧体的宽度l₁应等于磁芯宽度l₄，单位都为mm；巡检时，传感器与被测样件的最大相对速度为v，单位为mm/s，磁芯到被测样件的距离称为提离，巡检时由于磁芯和传感器的振动，提离会发生变化，设提离的最大最小值分别为l_max、l_min，单位为mm，传感器振动造成提离变化的最高频率为f，单位为Hz。

2.如权利要求1所述的漏磁信号增强结构，其特征在于，磁敏传感器的中心到铁氧体边角的距离为其中，l₂和l₃分别为铁氧体的横截面的两个边长，磁芯到被测样件的距离称为提离，巡检时由于磁芯和传感器的振动，提离会发生变化，设提离的最大最小值分别为l_max、l_min，单位为mm。

3.如权利要求1所述的漏磁信号增强结构，其特征在于，磁敏传感器的输出进行高通滤波的截止频率

4.如权利要求1所述的漏磁信号增强结构，其特征在于，铁氧体材料的初始磁导率应不小于被测铁磁性材料的初始磁导率，最大磁导率应不小于被测铁磁性材料的最大磁导率。