[发明专利]硫酸铜、其制造方法及其溶液、镀敷液、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法

说明书

本发明公开了硫酸铜、其制造方法及其溶液、镀敷液、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。具体地，本发明提供一种降低了铁浓度的硫酸铜、硫酸铜溶液、镀敷液、硫酸铜的制造方法、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。本发明是一种硫酸铜，其Fe浓度为0.08质量ppm以下。

技术领域

本发明涉及一种硫酸铜、硫酸铜溶液、镀敷液、硫酸铜的制造方法、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。

背景技术

硫酸铜被广泛地应用于电解液、颜料、杀虫剂、防腐剂、媒染剂、电池用材料、医药、半导体装置等电子零件的电镀液的原料等。

例如作为能够用于电解液、颜料、杀虫剂、防腐剂、媒染剂、电池用材料、医药、半导体装置等电子零件的电镀液的原料等的硫酸铜，在日本专利第3987069号公报(专利文献1)中记载有纯度99.99wt％以上且Fe、Cr、Ni等过渡金属为3wtppm以下的高纯度硫酸铜。另外，日本专利第3943583号(专利文献2)中记载有具备纯度99.999wt％以上的纯度的高纯度硫酸铜。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第3987069号公报

[专利文献2]日本专利第3943583号公报。

发明内容

[发明欲解决的课题]

然而，根据近年来的各种要求，对于比专利文献1及专利文献2所记载的高纯度硫酸铜进一步降低了杂质的硫酸铜的需求提高。

例如在使用硫酸铜作为铜镀浴的原料的情况下，存在如下问题：伴随着配线微细化而在作为铜镀浴的原料的硫酸铜中含有铁，由此使铜皮膜的导电性降低。

鉴于所述课题，本发明提供一种降低了铁浓度的硫酸铜、硫酸铜溶液、镀敷液、硫酸铜的制造方法、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。

[解决课题的技术手段]

本发明的实施方式的硫酸铜在一形态中，Fe浓度为0.08质量ppm以下。

本发明的实施方式的硫酸铜溶液在一形态中是使用所述硫酸铜进行液状化所得的硫酸铜溶液。

本发明的实施方式的硫酸铜溶液在一形态中，Fe浓度为0.019质量ppm以下。

本发明的实施方式的硫酸铜溶液在另一形态中，Fe浓度为0.016质量ppm以下。

本发明的实施方式的硫酸铜溶液在又一形态中，Fe浓度为0.012质量ppm以下。

本发明的硫酸铜的制造方法在一形态中包括：将使铜原料溶解于浓硫酸中所获得的硫酸铜原料溶液进行加热浓缩，将加热浓缩后的硫酸铜原料溶液以冷却速度15℃/hr以下进行冷却，以通过所述冷却而析出的析出物的回收率成为3～50％的方式回收析出物。

本发明的实施方式的镀敷液在一形态中，Fe浓度为0.018质量ppm以下。

本发明的实施方式的镀敷液在另一形态中，Fe浓度为0.012质量ppm以下。

本发明的实施方式的半导体电路基板的制造方法在一形态中包括：使用所述镀敷液进行镀铜。

本发明的实施方式的电子机器的制造方法在一形态中是使用利用所述半导体电路基板的制造方法所制造的半导体电路基板而制造电子机器。

[发明的效果]

根据本发明，可以提供一种降低了铁浓度的硫酸铜、硫酸铜溶液、镀敷液、硫酸铜的制造方法、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。

具体实施方式