[发明专利]三维半导体装置

权利要求书

1.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括具有顺序地堆叠在基板上的多个电极的电极结构，

其中，每个电极包括：

连接部，相对于设置有这样的侧壁的平面向外水平地突出，其中，所述侧壁为所述多个电极中的位于该连接部上方的一个电极的侧壁；以及

对齐部，具有与所述多个电极中的位于该对齐部上的一个电极的侧壁或者所述多个电极中的位于该对齐部下面的另一电极的侧壁共面的侧壁，

其中，所述三维半导体装置还包括与电极中的一个电极水平分隔开且由相同的材料形成的至少一个虚设图案，

其中，电极结构包括第一电极和位于第一电极上的第二电极，所述至少一个虚设图案设置在第一电极的侧壁与第二电极的侧壁之间，

其中，电极结构包括第一区域、第二区域和插入在第一区域和第二区域之间的阵列区域，连接部和对齐部中的每一个位于第一区域和第二区域中的一个上。

2.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，第一电极和第二电极竖直相邻。

3.如权利要求1所述的三维半导体装置，所述三维半导体装置还包括：

竖直图案，竖直穿透电极结构的阵列区域；以及

存储元件，插入在竖直图案和电极之间。

4.如权利要求3所述的三维半导体装置，其中，存储元件包括被构造为能够存储电荷或呈现可变电阻性质的材料或层结构。

5.如权利要求1所述的三维半导体装置，其中，所述至少一个虚设图案处于电浮动状态。

6.一种三维半导体装置，所述三维半导体装置包括具有顺序地堆叠在基板上的多个电极的电极结构，

其中，每个电极包括：

连接部，相对于设置有这样的侧壁的平面向外水平地突出，其中，所述侧壁为所述多个电极中的位于该连接部上方的一个电极的侧壁；以及

对齐部，具有与所述多个电极中的位于该对齐部上的一个电极的侧壁或者所述多个电极中的位于该对齐部下面的另一电极的侧壁共面的侧壁，

其中，所述三维半导体装置还包括设置在电极结构上的插塞，

其中，电极结构包括：

主体部，包括所述多个电极中的电连接到插塞的电极；以及

虚设部，包括所述多个电极中的与插塞电分离的电极，

其中，虚设部与主体部水平地分隔开，

其中，插塞包括多个第一插塞和与所述多个第一插塞分隔开的多个第二插塞，虚设部设置在所述多个第一插塞与所述多个第二插塞之间，

其中，虚设部包括所述多个电极中的连续地堆叠在基板上的多个电极。

7.如权利要求6所述的三维半导体装置，其中，主体部包括至少一个主体侧壁部，虚设部包括与主体侧壁部面对的第一虚设侧壁部，

其中，主体侧壁部和第一虚设侧壁部被设置为相对彼此镜面对称，主体侧壁部和第一虚设侧壁部中的每个具有阶梯式部分。

8.如权利要求7所述的三维半导体装置，其中，虚设部还包括与第一虚设侧壁部面对的第二虚设侧壁部，

第二虚设侧壁部在相对与基板的顶表面垂直的线的角度方面比第一虚设侧壁部小。

9.如权利要求8所述的三维半导体装置，其中，第二虚设侧壁部具有阶梯式部分。

10.如权利要求6所述的三维半导体装置，其中，所述多个第一插塞中的一个连接到第一电极，所述多个第二插塞中的一个连接到第二电极，第一电极和第二电极竖直相邻。