[发明专利]基准电压发生装置

说明书

本发明提供基准电压发生装置，其即便在工作温度范围宽的情况下，也可抑制基准电压的变动。基准电压发生装置具备针对输入电压而输出第一恒定电流的第一恒定电流电路、输出第二恒定电流的第二恒定电流电路及生成基于输入电流的电压的电压生成电路，将基于第一恒定电流和第二恒定电流的电流作为电压生成电路的输入电流，从电压生成电路输出基准电压。

技术领域

本发明涉及基准电压发生装置。

背景技术

伴随今后的IoT的普及，在各种产品中搭载IC，与此相伴，呈现IC的工作温度范围扩大的趋势。因此，在具备基准电压发生装置的IC中，为了抑制误工作，期望基准电压发生装置所输出的基准电压的温度变化小。

已知在形成于半导体衬底的IC中，通常在成为超过120℃至150℃之间的某个温度的高温时，在P型和N型的扩散层形成的寄生二极管中产生的PN结漏电流变得显著，对期望电路工作带来影响，因此寻求对此的对策。在温度范围中存在幅度是因为漏电流所带来的影响根据电路而不同。因此，以下将PN结漏电流开始对电路波及影响的温度称为漏电流表观温度，用记号LCET来表示。

例如，在专利文献1中公开了如下的带隙基准电路的技术：为了抑制在高温时所产生的MOS晶体管的扩散层的PN结漏电流流入到基准电压发生装置而导致基准电压变化，在基准电压发生装置内设置具有与寄生二极管相同的漏电流特性的虚设扩散层，由此抑制基准电压的温度变动。

专利文献1：日本特开2004-13584号公报

但是，在专利文献1的以往的基准电压发生装置中，虽然能够抑制高温下的PN结漏电流的影响，但无法降低基准电压发生装置内的二极管等电路元件所具有的针对温度的微小的非线性特性，因此产生基于该电路元件的非线性特性的基准电压的变动。因此，难以应用于在宽的工作温度范围中需要抑制基准电压的变动的IC中。

发明内容

本发明鉴于这样的状況而研发，本发明的目的在于提供一种在整个工作温度范围中抑制了基准电压的变动的基准电压发生装置。

为了解决上述课题，本发明设为以下的基准电压发生装置。

即，基准电压发生装置的特征在于，具备：第一恒定电流电路，其针对输入电压而输出第一恒定电流；第二恒定电流电路，其针对所述输入电压而输出第二恒定电流；及电压生成电路，其生成基于输入电流的电压，将基于所述第一恒定电流和所述第二恒定电流的电流作为所述电压生成电路的所述输入电流，从所述电压生成电路输出基准电压。

发明效果

根据本发明，关于基准电压发生装置所输出的基准电压，在漏电流表观温度以下的温度下，调整第一恒定电流电路和电压产生电路的温度系数，从而抑制基于电路元件针对温度的非线性的基准电压的温度变动。另外，在第一恒定电流电路和电压产生电路中元件针对温度的非线性的缓和困难的漏电流表观温度以上的温度下，输出由第二恒定电流电路和电压产生电路决定的基准电压，来抑制基准电压的温度变动。

由此，能够在整个工作温度范围中，抑制基准电压发生装置所输出的基准电压的变动。

附图说明

图1是示出本发明的第一实施方式的基准电压发生装置的电路图。

图2是示出第一实施方式中的基准电压发生装置所输出的基准电压的温度特性的图。

图3是示出第一实施方式的基准电压发生装置的示意截面图。

图4是示出第一实施方式的基准电压发生装置的另一电路图。

图5是示出第一实施方式的基准电压发生装置的另一电路图。

图6是示出本发明的第二实施方式的基准电压发生装置的电路图。