[发明专利]一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810271092.5 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN108520920B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 张青红;戚佳斌;侯成义;王宏志;李耀刚 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;魏峯
地址: 201620 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高分子 基趋光钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括依次层叠的高分子基衬底、对电极、空穴传输层、吸光层、电子传输层和工作电极;其中,高分子基衬底为双向拉伸聚丙烯PP与低密度聚乙烯LDPE复合薄膜;吸光层为具有钙钛矿结构的有机无机杂化CH3NH3PbI3光伏材料。

2.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述高分子基衬底的厚度为20~200μm,透过率为75~95%。

3.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述对电极为金,厚度为10~500nm。

4.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层为Spiro-MeOTAD,厚度为3~60nm。

5.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述吸光层的厚度为30~600nm。

6.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层为TiO2或SnO2无机材料,厚度为3~60nm。

7.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述工作电极为ITO-PET,厚度为1~500μm,透过率为85~95%。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括:

(1)在工作电极上制备电子传输层:将电子传输层前驱体混合溶液搅拌均匀,旋涂到工作电极表面,140~160℃加热60~180min,得到电子传输层;

(2)在电子传输层上制备吸光层:将浓度为400~500mg/ml的钙钛矿前驱体PbI2的DMF溶液旋涂到上述电子传输层表面,加热,冷却至室温,再旋涂浓度为8~12mg/ml的CH3NH3I的异丙醇溶液,加热,得到吸光层;其中加热的工艺条件均为:60~80℃加热20~30min;

(3)在吸光层上制备空穴传输层:将浓度为0.15~0.2mol/L的空穴传输材料的氯苯溶液旋凃到上述吸光层表面,静置22~26h,得到空穴传输层;

(4)在空穴传输层上制备对电极:将对电极材料真空蒸镀到上述空穴传输层表面,得到对电极;

(5)在对电极上制备高分子基衬底:在上述对电极上添加45~55μL的聚二甲基硅氧烷PDMS,然后贴合双向拉伸PP与LDPE复合薄膜,40~60℃加热固化15~25min,即得。

9.根据权利要求8所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)~(3)中旋涂的工艺参数为:旋凃转速为2000~3000rpm,旋凃时间为30~50s。

10.根据权利要求8所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中真空蒸镀的工艺参数为:真空度为1.0*103Pa以下,电流为125~135A,时间为20~120s。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学,未经东华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810271092.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top