[发明专利]一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201810271092.5 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN108520920B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 张青红;戚佳斌;侯成义;王宏志;李耀刚 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达;魏峯 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高分子 基趋光钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:包括依次层叠的高分子基衬底、对电极、空穴传输层、吸光层、电子传输层和工作电极;其中,高分子基衬底为双向拉伸聚丙烯PP与低密度聚乙烯LDPE复合薄膜;吸光层为具有钙钛矿结构的有机无机杂化CH3NH3PbI3光伏材料。
2.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述高分子基衬底的厚度为20~200μm,透过率为75~95%。
3.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述对电极为金,厚度为10~500nm。
4.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层为Spiro-MeOTAD,厚度为3~60nm。
5.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述吸光层的厚度为30~600nm。
6.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层为TiO2或SnO2无机材料,厚度为3~60nm。
7.根据权利要求1所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述工作电极为ITO-PET,厚度为1~500μm,透过率为85~95%。
8.一种如权利要求1-7任一项所述的高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括:
(1)在工作电极上制备电子传输层:将电子传输层前驱体混合溶液搅拌均匀,旋涂到工作电极表面,140~160℃加热60~180min,得到电子传输层;
(2)在电子传输层上制备吸光层:将浓度为400~500mg/ml的钙钛矿前驱体PbI2的DMF溶液旋涂到上述电子传输层表面,加热,冷却至室温,再旋涂浓度为8~12mg/ml的CH3NH3I的异丙醇溶液,加热,得到吸光层;其中加热的工艺条件均为:60~80℃加热20~30min;
(3)在吸光层上制备空穴传输层:将浓度为0.15~0.2mol/L的空穴传输材料的氯苯溶液旋凃到上述吸光层表面,静置22~26h,得到空穴传输层;
(4)在空穴传输层上制备对电极:将对电极材料真空蒸镀到上述空穴传输层表面,得到对电极;
(5)在对电极上制备高分子基衬底:在上述对电极上添加45~55μL的聚二甲基硅氧烷PDMS,然后贴合双向拉伸PP与LDPE复合薄膜,40~60℃加热固化15~25min,即得。
9.根据权利要求8所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)~(3)中旋涂的工艺参数为:旋凃转速为2000~3000rpm,旋凃时间为30~50s。
10.根据权利要求8所述的一种高分子基趋光钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中真空蒸镀的工艺参数为:真空度为1.0*103Pa以下,电流为125~135A,时间为20~120s。
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