[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面形成有第一介质层；

对所述第一介质层进行刻蚀，以形成滤镜凹槽，各个滤镜凹槽之间残留的第一介质层呈网格状排列；

形成第一介质薄膜，所述第一介质薄膜覆盖所述残留的第一介质层，所述第一介质薄膜的材料不同于所述第一介质层；

在所述滤镜凹槽内形成滤镜；

去除所述残留的第一介质层的顶部表面的第一介质薄膜以及所述残留的第一介质层，以形成网格状排列的沟槽；

形成第二介质薄膜，所述第二介质薄膜封口所述沟槽的开口，以形成气隙。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述滤镜的顶部表面低于所述残留的第一介质层的顶部表面，所述去除所述残留的第一介质层的顶部表面的第一介质薄膜包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述滤镜；

平坦化所述第二介质层，以去除所述残留的第一介质层顶部表面的第一介质薄膜。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，还包括：

在所述第二介质薄膜的表面形成透镜结构，所述透镜结构的位置对应于所述滤镜的位置。

4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料为无定形碳。

5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一介质薄膜的材料选自：氧化硅以及氮化硅。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二介质薄膜的材料为氧化硅，所述形成第二介质薄膜包括：

采用SiH₄形成所述第二介质薄膜。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺形成所述第二介质薄膜，沉积温度为150℃至250℃。

8.一种图像传感器，其特征在于，包括：

半导体衬底；

滤镜，设置于所述半导体衬底表面，相邻滤镜之间具有沟槽，多个沟槽呈网格状排列；

第一介质薄膜，位于所述沟槽的侧壁；

第二介质薄膜，封口所述沟槽的开口，以形成气隙。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述滤镜的顶部表面低于所述沟槽的开口，还包括：

第二介质层，所述第二介质层覆盖所述滤镜，且所述第二介质层的表面与所述沟槽的开口齐平。

10.根据权利要求8或9所述的图像传感器，其特征在于，还包括：

透镜结构，位于所述第二介质薄膜的表面，所述透镜结构的位置对应于所述滤镜的位置。