[发明专利]光刻掩模版

权利要求书

1.一种光刻掩模版，包括一掩模版本体，所述掩模版本体包括一第一侧面、一第二侧面、一第三侧面及一第四侧面，所述第一侧面和所述第二侧面位于X轴方向上，且所述第一侧面与所述第二侧面相对，构成一第一两相对侧面，所述第三侧面和所述第四侧面位于Y轴方向上，且所述第三侧面与所述第四侧面相对，构成一第二两相对侧面，所述X轴方向与所述Y轴方向成一定角度，其特征在于，热收缩材料包覆掩模版本体全部的所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面，当进行光刻曝光工艺时，热收缩材料向内收缩的变形至少部分消减掩膜版本体向外膨胀的变形，从而减小掩膜版本体因受热温度升高而导致的光刻掩模版上的图形产生的形变及位移。

2.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述热收缩材料粘结于所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面上。

3.根据权利要求2所述的光刻掩模版，其特征在于，所述热收缩材料通过一胶体粘结于所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面上。

4.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面上分别设置一凹槽，所述热收缩材料设置于所述第一侧面、所述第二侧面、所述第三侧面及所述第四侧面上的凹槽内。

5.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述掩模版本体具有一受热膨胀系数为γ1，所述热收缩材料具有一受热收缩系数为γ2，且γ1γ2。

6.根据权利要求5所述的光刻掩模版，其特征在于，γ10.3*γ2。

7.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述第一侧面和所述第二侧面在X轴方向上的长度为L1，所述第三侧面和所述第四侧面在Y轴方向上的长度为L3，设置于所述第一侧面和所述第二侧面上的热收缩材料在Y轴方向上的长度和为d1，设置于所述第三侧面和所述第四侧面上的热收缩材料在X轴方向上的长度之和为d3，其中L3 L1，d1 d3。

8.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述热收缩材料为高分子形状记忆材料。

9.根据权利要求8所述的光刻掩模版，其特征在于，所述高分子形状记忆材料为热致感应型聚合物。

10.根据权利要求1所述的光刻掩模版，其特征在于，所述热收缩材料为三氟化钪。