[发明专利]共阴极激光器驱动电路

权利要求书

1.一种用于偏置和调制可调谐激光器的方法，包括：

由激光器驱动电路向设置在可调谐激光器的共用衬底上的增益区段二极管的阳极输送偏置电流(I_BIAS)；

在所述激光器驱动电路处接收指示猝发开启状态或猝发关断状态的猝发模式信号；

在所述激光器驱动电路处接收来自所述激光器驱动电路的抽取级的灌电流调整，所述灌电流调整被配置为调整所述灌电流(I_SINK)；

当所述猝发模式信号指示所述猝发关断状态时：

由所述激光器驱动电路从在所述增益区段二极管的所述阳极处的所述偏置电流(I_BIAS)中抽取所述灌电流(I_SINK)，所述灌电流(I_SINK)小于输送到所述增益区段二极管的所述阳极的所述偏置电流(I_BIAS)；以及

当所述猝发模式信号从所述猝发关断状态转变为指示所述猝发开启状态时：

由所述激光器驱动电路停止从在所述增益区段二极管的所述阳极处的所述偏置电流(I_BIAS)中抽取所述灌电流(I_SINK)；以及

由所述激光器驱动电路)向所述增益区段二极管的所述阳极输送过冲电流(I_OVER)以加速加热所述增益区段二极管。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，当所述猝发模式信号指示所述猝发关断状态时，所述增益区段二极管接收等于所述偏置电流(I_BIAS)减去所述灌电流(I_SINK)的二极管电流(I_D)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述抽取级包括第一MOSFET和第二MOSFET的差分对，每个MOSFET连接到猝发模式信号源，所述第一MOSFET连接到电阻器，所述电阻器连接到电压源(V_CC)，所述第二MOSFET连接到电感器，所述电感器连接到所述增益区段二极管的所述阳极。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述猝发模式信号指示所述猝发关断状态时，所述第一MOSFET被断开并且所述第二MOSFET被接通以从所述增益区段二极管的所述阳极抽取所述灌电流(I_SINK)。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，当所述猝发模式信号指示所述猝发开启状态时，所述第一MOSFET被接通并且所述第二MOSFET被断开以停止从所述增益区段二极管的所述阳极抽取所述灌电流(I_SINK)。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述猝发开启状态开始后，由所述激光器驱动电路将所述过冲电流(I_OVER)输送到所述增益区段二极管的所述阳极达转变时间段，所述转变时间段小于与所述猝发开启状态的持续时间相对应的猝发开启时间段。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述激光器驱动电路包括加速加热级，所述加速加热级电容耦合到所述增益区段二极管的所述阳极，以将所述过冲电流(I_OVER)输送到所述增益区段二极管的所述阳极，所述加速加热级包括连接到猝发模式信号源的MOSFET以及第一电阻器和第二电阻器，所述第一电阻器和第二电阻器的比率与所述过冲电流(I_OVER)的幅值成比例。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：当所述猝发模式信号指示所述猝发开启状态时，由电容耦合到所述增益区段二极管的所述阳极的所述激光器驱动电路的调制级调制所述可调谐激光器，从而产生交流(AC)调制电流。