[发明专利]一种薄膜封装方法、薄膜封装结构、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜封装方法，包括：

提供一基板，所述基板包括至少一个功能区域，所述功能区域范围内设置有待封装结构；形成第一阻隔层，所述第一阻隔层包覆所述待封装结构；

在所述功能区域范围内形成一有机层，所述待封装结构在所述基板上的正投影在所述有机层在基板上的正投影的范围内；

形成第二阻隔层，所述第二阻隔层包覆所述有机层；

在所述功能区域范围内形成掩膜层，所述掩膜层在所述基板上的正投影在所述第二阻隔层在所述基板上的正投影范围内，所述有机层在所述基板上的正投影在所述掩膜层在所述基板上的正投影的范围内，所述掩膜层的厚度小于所述第二阻隔层的厚度，其中，所述掩膜层是通过掩膜板形成的，所述掩膜板和所述第二阻隔层之间具有缝隙；

对所述第二阻隔层进行刻蚀，其中所述掩膜层的刻蚀速率小于所述第二阻隔层的刻蚀速率；

对所述第一阻隔层进行刻蚀，其中所述掩膜层的刻蚀速率小于所述第一阻隔层的刻蚀速率；

对所述第一阻隔层，所述第二阻隔层和所述掩膜层进行刻蚀完成后，所述掩膜层剩余的厚度不大于100nm。

2.根据权利要求1所述的薄膜封装方法，其中，所述有机层在所述基板上的正投影在所述第一阻隔层在所述基板上的正投影的范围内。

3.根据权利要求1-2任一所述的薄膜封装方法，其中，所述形成掩膜层采用原子层沉积掩膜法。

4.根据权利要求2所述的薄膜封装方法，其中，所述基板包括至少两个所述功能区域，所述第一阻隔层覆盖全部所述功能区域和所述功能区域之间的区域，和/或，所述第二阻隔层覆盖全部所述功能区域和所述功能区域之间的区域。

5.根据权利要求4所述的薄膜封装方法，其中，所述第一阻隔层采用开放式掩膜法形成，和/或，所述第二阻隔层采用开放式掩膜法形成。

6.根据权利要求2所述的薄膜封装方法，其中，所述第一阻隔层和所述第二阻隔层的刻蚀速率为所述掩膜层的刻蚀速率的八倍以上，所述掩膜层的厚度不小于第一阻隔层和第二阻隔层厚度之和的八分之一。

7.根据权利要求1-2任意一项所述的薄膜封装方法，其中，所述刻蚀采用电感耦合等离子体工艺。

8.根据权利要求2所述的薄膜封装方法，其中，所述掩膜层在所述基板上的正投影超出所述有机层在所述基板上的正投影的部分为一个环形区域，所述环形区域的宽度大于所述第二阻隔层的厚度。

9.一种薄膜封装结构，包括：

包覆位于基板上的被封装结构的第一阻隔层；

位于所述第一阻隔层远离所述基板一侧的有机层，所述被封装结构在所述基板上的正投影在所述有机层在基板上的正投影的范围内；

包覆所述有机层的第二阻隔层；

位于所述第二阻隔层远离所述基板一侧的掩膜层，所述第二阻隔层和所述第一阻隔层在所述基板上的正投影在所述掩膜层在所述基板上的正投影的范围内，所述掩膜层的厚度小于所述第二阻隔层的厚度；

所述掩膜层的厚度不大于100nm。

10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构，其中，所述有机层在所述基板上的正投影在所述第一阻隔层在所述基板上的正投影的范围内。

11.根据权利要求10所述的薄膜封装结构，其中，贴附于所述有机层侧面的所述第二阻隔层侧壁的厚度不小于所述第二阻隔层位于所述掩膜层和所述有机层之间部分的厚度。

12.根据权利要求10所述的薄膜封装结构，其中，所述第一阻隔层，所述第二阻隔层和所述掩膜层在所述基板上的正投影重合。