[发明专利]一种铌酸锂电光调制器芯片在审
| 申请号： | 201810272816.8 | 申请日： | 2018-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108663827A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周建伟;夏君磊;郑国康;刘瑞丹;乔建坤;宁智超;徐玉亮 | 申请（专利权）人： | 北京航天时代光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03;G02F1/035 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 100094*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铌酸锂电光调制器 直流偏置电极 二氧化硅层 直流漂移 芯片 调制器 铌酸锂晶体 高频性能 速度匹配 行波电极 影响光波 直接制备 去除 微波 保留 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：该芯片包括铌酸锂衬底(1)、波导(2)、行波电极(3)、直流偏置电极(4)和二氧化硅缓冲层(5)；
所述的铌酸锂衬底(1)的上表面生长有一层二氧化硅缓冲层(5)；
所述的波导(2)位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部；
所述的行波电极(3)位于二氧化硅缓冲层(5)的上表面；
所述的波导(2)位于行波电极(3)之间；
所述的行波电极(3)右侧的二氧化硅缓冲层(5)上开有窗口(6)，在窗口(6)的位置处、铌酸锂衬底(1)的上表面加工直流偏置电极(4)。
2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的波导(2)为马赫-泽德干涉光路，位于铌酸锂衬底(1)上表面的内部。
3.根据权利要求2所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的波导(2)马赫-泽德干涉光路的两臂位于行波电极(3)之间。
4.根据权利要求1所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(3)为共面波导结构。
5.根据权利要求4所述的一种铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于：所述的行波电极(3)由3个金属条构成，中心的金属条为信号电极，两侧的金属条为地电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航天时代光电科技有限公司，未经北京航天时代光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810272816.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：可方便更换镜脚的眼镜
- 下一篇：一种电控调光膜及其制备方法
