[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括多个像素区和多个隔离区，所述隔离区与像素区相邻且围绕像素区，所述基底包括半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面，所述像素区的半导体衬底内包括感光结构，所述半导体衬底第一面暴露出感光结构；

在半导体衬底的隔离区内形成多个阻挡结构，所述半导体衬底的第二面暴露出所述阻挡结构表面，各所述阻挡结构分别包括第二类光阻挡层和位于第二类光阻挡层两侧的第一类光阻挡层，所述第二类光阻挡层位于第一类光阻挡层侧壁表面，所述第二类光阻挡层的折射率与第一类光阻挡层的折射率不同，且所述第一类光阻挡层的折射率小于半导体衬底的折射率。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一类光阻挡层的材料为绝缘材料或者空气隙，所述绝缘材料包括氧化硅、氮化硅或者无掺杂多晶硅。

3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，各阻挡结构包括若干层第一类光阻层，且若干层第一类光阻层沿垂直第二类光阻挡层侧壁的方向层叠。

4.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当位于第二类光阻挡层一侧的所述第一类光阻挡层的数量大于2时，所述一个阻挡结构还包括：在相邻两层第一类光阻挡层之间形成有第二类光阻挡层。

5.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当位于第二类光阻挡层一侧的所述第一类光阻挡层的数量大于2时，所述一个阻挡结构中相邻第一类光阻层相互接触。

6.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二类光阻挡层的材料与半导体衬底的材料相同。

7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述第一类光阻挡层的材料为绝缘材料时，所述阻挡结构的形成方法还包括：在半导体衬底第二面的表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出第一类光阻挡层的位置和形状；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底内形成多个分立的第一凹槽；形成第一凹槽后，在所述第一凹槽内形成第一类光阻挡层。

8.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述第一类光阻挡层的材料为空气时，所述阻挡结构的形成方法包括：在半导体衬底第二面的表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出第一类光阻挡层的位置和形状；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底内形成多个分立的第一凹槽。

9.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二类光阻挡层的材料与半导体衬底的材料不同。

10.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述第一类光阻挡层的材料为绝缘材料时，所述阻挡结构的形成方法包括：在半导体衬底第二面的隔离区内形成多个分立的第一凹槽；在第一凹槽内形成第一类光阻挡层；形成第一类光阻挡层后，在第一类光阻挡层之间形成多个第二凹槽；形成第二凹槽后，在第二凹槽内形成第二类光阻挡层。

11.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述第一类光阻挡层的材料为空气隙时，所述阻挡结构的形成方法包括：在半导体衬底第二面的表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出第二类光阻挡层的位置和形状；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底内形成多个分立的第二凹槽；形成第二凹槽后，在第二凹槽内形成第二类光阻挡层；形成第二类光阻挡层后，在第二类光阻挡层之间形成多个第一凹槽。

12.根据权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在一个阻挡结构中，所述多个第一类光阻挡层的折射率不同，所述多个第二类光阻挡层的折射率相同。