[发明专利]一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法

权利要求书

1.一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1、避光条件下，将氧化铝薄膜浸入氯钯酸铵((NH4)₂PdCl₄)水溶液中浸泡15min～17min后；取出氧化铝薄膜用去离子水充分漂洗，待用；

步骤2、分别称取氢氧化钠、无水硫酸铜和酒石酸钾，混合均匀后置于烧杯中，加入去离子水使充分溶解，得到溶液A，待用；

步骤3、将步骤2中得到的溶液A与甲醛(HCHO)水溶液混合均匀，得到Cu的无电沉积溶液，待用；

步骤4、将步骤1中漂洗过的氧化铝薄膜浸入步骤3中得到的Cu的无电沉积溶液中浸泡10min～13min后，取出氧化铝薄膜用去离子水漂洗、吹干，即完成了氧化铝薄膜上铜的无电沉积。

2.根据权利要求1所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤1中氯钯酸铵((NH4)₂PdCl₄)水溶液的质量浓度为6g/l～7g/l。

3.根据权利要求1所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤1中的漂洗方式为：用镊子夹住氧化铝薄膜并不断在去离子水中摇动漂洗，漂洗时间为5min～6min。

4.根据权利要求1所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤2中氢氧化钠、无水硫酸铜和酒石酸钾的质量比为1：1～1.1：2.3～2.5，去离子水添加量为氢氧化钠、无水硫酸铜和酒石酸钾总质量的18％～19％。

5.根据权利要求1所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤3中甲醛(HCHO)水溶液的体积浓度为9.5ml/l～10ml/l。

6.根据权利要求1或5所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤3中溶液A与甲醛(HCHO)水溶液以1:1的体积比混合。

7.根据权利要求1所述的一种在氧化铝薄膜上无电沉积铜的方法，其特征在于，所述步骤4中的漂洗方式为：用镊子夹住氧化铝薄膜并不断在去离子水中摇动漂洗，漂洗时间为5min～7min。