[发明专利]一种CCGA器件植柱装置和方法

权利要求书

1.一种CCGA器件植柱装置，其特征在于，包括上模板和下模板，所述下模板上端面开设用于容纳待植柱器件和上模板的定位凹腔，所述上模板上端面至下端面贯穿开设多个定位孔，该多个定位孔与所述待植柱器件表面的待植柱焊盘一一对应，所述待植柱器件放置在所述上模板和所述下模板之间。

2.如权利要求1所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，在所述待植柱器件陶瓷基板表面不平整时，所述上模板还贯穿开设有用于容纳该不平整部分的空腔。

3.如权利要求1所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述定位凹腔的深度小于所述下模板的高度，所述定位凹腔包括用于容纳所述上模板的上定位凹腔和用于容纳所述待植柱器件的下定位凹腔，所述上定位凹腔位于所述下定位凹腔上方且上定位凹腔与下定位凹腔组成倒“凸”型。

4.如权利要求3所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述下模板下端面开设通孔，该通孔与所述下定位凹腔腔体相通且通孔的尺寸小于下定位凹腔腔体的尺寸。

5.如权利要求3所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述上定位凹腔和所述下定位凹腔的腔角均为圆形倒角。

6.如权利要求1所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述定位孔的直径大于放入定位孔中的焊锡球或焊锡柱的直径，定位孔的高度小于插入定位孔中的焊锡柱的高度。

7.如权利要求3所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述下定位凹腔的高度大于待植柱器件底面到待植柱焊盘表面的高度。

8.如权利要求6所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述焊锡柱上端放置压块。

9.如权利要求1-8任一项所述的CCGA器件植柱装置，其特征在于，所述上模板和所述下模板均采用热膨胀系数与陶瓷基板相差不超过6ppm/℃的石墨或KOVAR合金材料制备。

10.一种CCGA器件植柱方法，使用如权利要求1-8任一项所述CCGA器件植柱装置，其特征在于：

步骤一、在所述待植柱器件陶瓷基板的待植柱焊盘表面涂布助焊剂；

步骤二、将待植柱焊盘面向上的待植柱器件放入所述下模板的下定位凹腔内，将所述上模板放入所述上定位凹腔内，所述上模板上的定位孔与待植柱焊盘一一对应；

步骤三、在所述上模板的定位孔中一一放入一个直径小于该定位孔直径的焊锡球；

步骤四、将整个装置放置在回流焊炉中，利用回流曲线对该装置加热，使得焊锡球充分熔化并平铺在待植柱焊盘表面，形成焊锡膜；

步骤五、将整个装置从回流焊炉中取出并冷却至室温后，将待植柱器件从所述上模板和下模板之间取出，在所述焊锡膜表面涂布助焊剂，然后重复执行步骤二；

步骤六、在所述上模板的定位孔中一一插入一个直径小于该定位孔直径的焊锡柱，并在焊锡柱上端放置压块；

步骤七、将整个装置放置在回流焊炉中，利用回流曲线对该装置进行加热，使得焊锡膜充分回流并将焊锡柱焊接在待植柱焊盘上；

步骤八、将整个装置从回流焊炉中取出，冷却至室温后，将器件从所述上模板和下模板之间取出，完成CCGA器件的植柱。