[发明专利]金属污染防止方法和成膜装置

权利要求书

1.一种金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：

温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；

活化步骤，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和所述氧活化；以及

涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷，

其中，一边将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度，一边在所述处理室内使氢和氧活化，

所述成膜温度被设定为700℃以上的温度，

所述干式清洁时的温度被设定为600℃～690℃的温度，

所述氢和所述氧被等离子体活化，

所述成膜处理是在基板上形成氧化膜的处理，

所述氧化膜是氧化硅膜，

所述金属污染防止方法还包括：

确认步骤，在所述涂敷步骤之后，确认所述处理室内的金属污染程度；以及

判定步骤，根据所述金属污染程度来判定是否可以继续成膜处理，

其中，在所述判定步骤中判定为可以继续成膜处理的情况下，继续进行用于量产化的成膜处理，在所述判定步骤中判定为不应该继续成膜处理的情况下，使成膜装置暂时停止。

2.一种成膜装置，具有：

处理室；

加热器，其设置在该处理室内；

原料气体供给单元，其能够向所述处理室内供给原料气体；

氢气供给单元，其能够向所述处理室内供给氢气；以及

氧气供给单元，其与该氢气供给单元邻接地设置，能够向所述处理室内供给氧气；以及

控制单元，

其中，该控制单元进行以下步骤：

温度变更步骤，在进行了所述处理室内的干式清洁之后，控制所述加热器来将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；

活化步骤，控制所述氢气供给单元和所述氧气供给单元来向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和所述氧活化；以及

涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，控制所述原料气体供给单元和所述氧气供给单元，来在所述处理室内不存在基板的状态下向所述处理室内供给所述原料气体和所述氧气，对所述处理室内进行氧化膜的成膜，

其中，一边将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度，一边在所述处理室内使氢和氧活化，

所述成膜温度被设定为700℃以上的温度，

所述干式清洁时的温度被设定为600℃～690℃的温度，

所述氢和所述氧被等离子体活化，

所述氧化膜是氧化硅膜，

所述控制单元还进行以下步骤：

确认步骤，在所述涂敷步骤之后，确认所述处理室内的金属污染程度；以及

判定步骤，根据所述金属污染程度来判定是否可以继续成膜处理，

其中，在所述判定步骤中判定为可以继续成膜处理的情况下，继续进行用于量产化的成膜处理，在所述判定步骤中判定为不应该继续成膜处理的情况下，使成膜装置暂时停止。