[发明专利]一种IGBT器件背面制作方法

权利要求书

1.一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：提供一半导体基板，选取N型半导体材料作为半导体基板（1）；

第二步：在所述半导体基板（1）上，生长第一N型外延层（2）；

第三步：在第一N型外延层（2）表面注入P型杂质；

第四步：在第一N型外延层（2）表面继续生长一层第二N型外延层（3）；

第五步：在第二N型外延层（3）表面注入N型杂质；

第六步：对注入的杂质离子进行高温退火激活，形成N型缓冲层（4）和P型空穴注入层（5）。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，在所述第六步后，继续进行如下步骤：

第一步：在N型缓冲层（4）上继续生长一层第三N型外延层（6）；

第二步：在第三N型外延层（6）内完成常规IGBT正面工艺的P型体区（7）及位于P型体区（7）内的N型源区（8），在第三N型外延层（6）表面完成常规IGBT正面工艺的栅氧化层（9）、位于栅氧化层（9）上的绝缘介质层（10）、被绝缘介质层（10）和栅氧化层（9）包裹的栅极多晶硅（11）及覆盖在绝缘介质层（10）上的金属层；

第三步：对半导体基板（1）进行研磨，并研磨至P型空穴注入层（5）；

第四步：对器件背面进行金属化。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，所述第三N型外延层（6）的掺杂浓度小于N型缓冲层（4）的掺杂浓度。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，所述第二步和第三步还可通过如下方法制作：在半导体基板（1）上直接生长掺杂P型杂质的外延层，且P型杂质的外延层的掺杂浓度与P型空穴注入层（5）的掺杂浓度相同。

5.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，所述第四步和第五步还可通过如下方法制作：在第一N型外延层（2）表面继续生长掺杂N型杂质的外延层，且掺杂N型杂质的外延层的掺杂浓度与N型缓冲层（4）的掺杂浓度相同。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，在所述第四步和第五步中，所述第二N型外延层（3）的掺杂浓度和注入第二N型外延层（3）的N型杂质的掺杂浓度之和与N型缓冲层（4）的掺杂浓度相同。

7.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，所述第六步中，对注入的杂质离子进行高温退火的条件为，退火温度为1200~1250℃，退火时间为400~500min。

8.根据权利要求1所述的一种IGBT器件背面制作方法，其特征在于，所述IGBT器件包括平面栅型IGBT器件和沟槽栅型IGBT器件。