[发明专利]用于中子捕获治疗的射束整形体

权利要求书

1.一种用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述射束整形体包括射束入口、靶材、邻接于靶材的缓速体、包围在所述缓速体外的反射体及射束出口，所述缓速体可以更换以调整缓速体对中子的缓速能力，所述缓速体包括位于靶材后方的基底部和位于基底部后方并与基底部分体设置的扩充部，所述扩充部能够单独更换而不改变射束整形体的总体尺寸，扩充部包括第一扩充部和第二扩充部，第一扩充部和第二扩充部分别可以单独更换。

2.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述第一扩充部安装于基底部后方并邻接于基底部，第二扩充部安装于第一扩充部后方并邻接于第一扩充部。

3.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：根据需要达到的中子射束品质更换不同材料的第一扩充部和/或第二扩充部。

4.根据权利要求1所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述基底部邻接于靶材后方并与靶材固定，所述扩充部安装于基底部的后方并邻接于基底部。

5.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：反射体还包括设于扩充部外侧或者外周的补充反射体，所述补充反射体和包围在基底部外的反射体共同对散射的中子进行反射。

6.根据权利要求5所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述反射体对应扩充部开设有延伸至基底部后方的导槽，所述导槽设置有滑轨，所述扩充部安装于导槽中后通过滑轨移动至基底部后方并邻接于基底部；所述导槽至少包括与第一扩充部相对应的第一导槽和与第二扩充部相对于的第二导槽；当所述第一扩充部和第二扩充部的结构尺寸相同仅材料不同时，第一扩充部和第二扩充部分别可以安装在第一导槽或者第二导槽中；当第一扩充部和第二扩充部的结构尺寸不同且材料也不同时，所述第一扩充部安装于第一导槽中，所述第二扩充部安装于第二导槽中。

7.根据权利要求6所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：补充反射体安装于所述导槽中，当扩充部通过滑轨安装于基底部的后方时，补充反射体包围在扩充部外侧，并与包围在基底部外侧的反射体共同对散射的中子进行反射。

8.根据权利要求5所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述反射体设有旋转轴，所述旋转轴上设有位于基底部后方且可相对基底部转动的转盘，所述扩充部安装于转盘中后随转盘旋转运动至基底部后方并邻接于基底部；所述转盘至少包括与第一扩充部相对应的第一转盘和与第二扩充部相对应的第二转盘；当所述第一扩充部和第二扩充部的结构尺寸相同仅材料不同时，第一扩充部和第二扩充部分别可以安装在第一转盘或者第二转盘中；当第一扩充部和第二扩充部的结构尺寸不同且材料也不同时，所述第一扩充部安装于第一转盘中，所述第二扩充部安装于第二转盘中。

9.根据权利要求8所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述补充反射体安装于扩充部外侧的转盘中，当扩充部绕旋转轴旋转安装于基底部后方时，补充反射体包围在扩充部外周，并与包围在基底部外周的反射体共同对散射的中子进行反射。

10.根据权利要求2所述的用于中子捕获治疗的射束整形体，其特征在于：所述基底部、第一扩充部和所述第二扩充部的材料皆可由Al、Pb、Ti、Bi、C、D₂O、AlF₃、Fluental^TM、CaF₂、Li₂CO₃、MgF₂和Al₂O₃中的任意一种或几种制成。