[发明专利]一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用

说明书

本发明公开了一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法与应用，利用PDA可以淬灭电极基底上的CdTe荧光的原理，以多巴胺DA自聚合沉积包裹SiO₂形成的SiO₂@PDA纳米复合物为探针分子，CdTe为光电活性物质，构建了光电化学免疫传感器来检测肿瘤标志物。本发明利用SiO₂@PDA纳米复合物制备光电化学免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法，与传统的酶联免疫吸附以及传统的光学方法等方法相比具有操作简便、技术要求低、价格低廉且易于微型化等特点，所使用的荧光淬灭剂SiO₂@PDA可以增加生物分子的负载量，放大信号。

技术领域

本发明属于生物医学检测领域，具体涉及一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用。

背景技术

卵巢癌是女性致命的妇科恶性肿瘤之一，其造成的死亡率远高于其他任何女性生殖系统的癌症。CA125是用来诊断卵巢癌的生物标志物之一，目前用于检测该标志物的方法有放射免疫检测，酶联免疫吸附检测，电化学发光法，化学发光法等，但由于这些检测手段的成本高，耗时长，并且灵敏度较低。而光电化学免疫分析是高灵敏度的光电化学分析与高特异性的免疫反应的结合，在光电化学检测中，光被用作激发源来激发光电活性物质，通过光激发所产生的电信号作为检测信号，由于激发与检测信号属于不同的能量形式，光电化学传感信号的背景要比传统的电化学方法低，从而灵敏度较高，并且检测限可以进一步降低。此外，由于利用电信号响应，同传统的光学方法相比，PEC检测仪器备简易，价格低廉且易于微型化等优点。光电化学免疫传感器在生命分析领域具有强大的应用前景，有望实现肿瘤等疾病早期检测与诊断。

光电化学免疫分析的基本方法原理是，在光照条件下，将免疫反应转变为光电活性物质的光电信号，从而实现对待测物的定性与定量检测。其中光电活性物质与增强光电流是光电化学免疫传感器的关键。无机半导体材料是目前研究和应用最为广泛的一类光电材料。由于量子限域效应的存在，无机纳米半导体材料具有比块体材料更优异的光电化学活性。这类材料主要包括以TiO、ZnO、WO等为代表的金属氧化物半导体，以CdTe、CdS、ZnS等量子点(QDs)为代表的金属硫族化物半导体。其中CdTe以其较强的荧光信号，较快的传导速率和较好的生物相容性等优点受到了广泛关注。

发明内容

发明目的：为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种检测CA125的光电化学免疫传感器，该光电化学免疫传感器操作简便，反应迅速，灵敏度高，能够实现对于痕量抗原的检测。

本发明的另一个目的是提供所述光电化学免疫传感器的制备方法。

本发明的另一个目的是提供所述光电化学免疫传感器的应用。

本发明中技术术语的缩写如下：

二氧化硅：SiO₂；盐酸多巴胺：DA；聚多巴胺：PDA；碲化镉：CdTe；三羟甲基氨基甲烷：Tris；CA125第一抗体：Ab₁；，CA125第二抗体：Ab₂；戊二醛：GA；牛血清蛋白：BSA；氧化铟锡半导体电极：ITO；正硅酸乙酯：TEOS。

技术方案：本发明所述的检测CA125的光电化学免疫传感器的制备方法，包括：基底电极由CdTe-CS修饰，Ab₁共价结合到修饰后的基底电极上，CA125抗原特异性结合到Ab₁上，Ab₂-SiO₂@PDA特异性结合到CA125抗原上。

所述基底电极为氧化铟锡半导体电极或玻碳电极。

所述的CdTe-CS中CdTe和CS的质量比为1∶(40-50)。其中，CS的质量浓度为0.01wt％-0.5wt％，优选为0.05wt％，溶剂为乙酸。