[发明专利]碳纳米管阵列的表面修饰方法

权利要求书

1.一种碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，包括以下步骤：

在第一基底上沉积碳纳米管阵列；

在第二基底上沉积高分子聚合物，所述高分子聚合物选自碳链高聚物；

将所述第一基底与所述第二基底放置于同一反应腔；及

在保护性气体氛围下，对所述第一基底及所述第二基底进行高能紫外光处理；所述高能紫外光的照射功率为15mW～35mW，所述高能紫外光为照射波长λ为150nm～350nm的单色窄带光；

所述高能紫外光的照射波长λ通过以下公式计算：

λ₁＝Nhc/δ₁，λ₂＝Nhc/δ₂；

λ≤min{λ₁，λ₂}；

其中，N为阿伏伽德罗常数，h为普朗克常数，c为波长；δ₁为所述碳纳米管阵列中C＝C键的键能，λ₁为使得所述碳纳米管阵列中C＝C键断裂时的紫外光照射波长；δ₂为所述高分子聚合物中C-C键或C＝C键的键能，λ₂为使得所述高分子聚合物中C-C键或C＝C键断裂时的紫外光照射波长。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述在第一基底上沉积碳纳米管阵列的步骤具体包括：

在所述第一基底上沉积催化剂层；及

在保护性气体氛围下，升温至550℃～900℃后再通入碳源气体反应得到所述碳纳米管阵列；所述碳源气体以气体分压计包括25％～40％的乙烯、1％～10％的氢气及70％～80％的氮气。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述碳纳米管阵列的厚度为420μm～800μm，所述碳纳米管阵列中碳纳米管的直径为2nm～9nm。

4.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述碳链高聚物选自聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醋酸乙烯、聚乙烯及聚丙烯中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，在所述第二基底上沉积的高分子聚合物的厚度为4mm～6mm。

6.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述第一基底为硅片、镍片或铜片；

及/或，所述第二基底为硅片、镍片或铜片。

7.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述第一基底与所述第二基底放置于同一水平面，且所述第一基底具有第一工作面，所述第二基底具有第二工作面，在所述第一基底上形成碳纳米管阵列层，在所述第二基底上形成高分子层，所述碳纳米管阵列层与所述高分子层在水平方向上形成不大于0.8mm的间隙。

8.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，进行所述高能紫外光处理的时间为20min～50min。

9.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，对所述第一基底及所述第二基底进行高能紫外光处理时，高能紫外光光源距离所述第一基底及所述第二基底的距离为2mm～20mm。

10.根据权利要求1所述的碳纳米管阵列的表面修饰方法，其特征在于，所述在保护性气体氛围下，对所述第一基底及所述第二基底进行高能紫外光处理的步骤之后还包括步骤：将所述第一基底放置于保护性气体氛围下自然冷却。