[发明专利]一种基于噪声隔离的自适应智能开关在审
申请号: | 201810277063.X | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN110324029A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 陈正义 | 申请(专利权)人: | 温州有达电气有限公司 |
主分类号: | H03K17/16 | 分类号: | H03K17/16;H01F5/00;H01F5/06 |
代理公司: | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人: | 李浩 |
地址: | 325000 浙江省温州市经济技术*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自适应 扫描脉冲发生器 斩波电路 场效应管 噪声隔离 智能开关 次绕组 寄生电容补偿 开关技术领域 电磁噪声 隔离器件 工作频率 开关输出 连接电源 谐波失真 隔离器 控制场 受限制 效应管 抖动 畸变 电路 | ||
1.一种基于噪声隔离的自适应智能开关,包括第一电源VDD,其特征在于,还包括
第一扫描脉冲发生器;
场效应管Q3及其寄生电容补偿电路,场效应管Q3连接第一电源VDD,第一扫描脉冲发生器控制场效应管Q3的工作状态;
第二扫描脉冲发生器;
自适应斩波电路,第二扫描脉冲发生器控制自适应斩波电路的工作状态,自适应斩波电路输出端连接有施密特触发器UST,施密特触发器UST的输出信号作为低噪电源VSOR;
隔离器T1,其一次绕组连接第一电源VDD和场效应管Q3且其二次绕组连接自适应斩波电路;
所述的隔离器T1,包括在上层芯片的下方设置有一次绕组(12),下层芯片的上方设置有二次绕组(22),一次绕组(12)和二次绕组(22)位置相对,两层芯片上的金属线圈之间为隔离层(30);一次绕组(12)设置于上层芯片的下表面,一次绕组(12)和上层芯片衬底(10)之间为绝缘层;二次绕组(22)设置于下层芯片的上表面,二次绕组(22)和下层芯片衬底(20)之间为绝缘层。
2.根据权利要求1所述的一种基于噪声隔离的自适应智能开关,其特征在于,所述的场效应管Q3及其寄生电容补偿电路,
场效应管Q3,其栅极连接第一扫描脉冲发生器的输出端且源极通过第一电阻R4接地;
第一二极管D1,其低电端连接场效应管Q3的漏极且高电端接地;
第二电容C2,其一端连接场效应管Q3的漏极且另一端接地;
第二二极管D2,其低电端连接场效应管Q3的源极且高电端接地;
第一二极管D1、第二电容C2和第二二极管D2构成寄生电容补偿电路。
3.根据权利要求1所述的一种基于噪声隔离的自适应智能开关,其特征在于,所述的自适应斩波电路,包括
第一三极管Q4,其集电极连接隔离器T1的二次绕组;
第二三极管Q5,其集电极连接隔离器T1的二次绕组;
第三三极管Q6,其集电极连接第二三极管Q5的发射极;
第四三极管Q7,其发射极连接第一三极管Q4的发射极且集电极连接第三三极管Q6的发射极;
第三三极管Q6的集电极和第四三极管Q7的发射极连接至施密特触发器UST的输入端;
第二电阻R7,其一端连接隔离器T1的二次绕组且另一端连接第三三极管Q6的发射极;
第三电阻R8,其一端连接隔离器T1的二次绕组且另一端连接第三三极管Q6的发射极;
脉冲自适应电路,连接第一三极管Q4、第二三极管Q5、第三三极管Q6和第四三极管Q7。
4.根据权利要求3所述的一种基于噪声隔离的自适应智能开关,其特征在于,所述的脉冲自适应电路,包括第二电源VCC;
第四电阻R9、第五电阻R10构成第一分压器;
第五三极管U2A,其基极连接第二扫描脉冲发生器、集电极连接第二电源VCC且发射极连接第一分压器;
第六电阻R11、第七电阻R12构成第二分压器,第二分压器串联第一分压器并接地;
第一比较器U3,其输入端连接第一分压器和施密特触发器UST的输入端;
第二比较器U4,其输入端连接第二分压器和施密特触发器UST的输入端;
RS触发器U8,其S端连接第一比较器U3的输出端且R端连接第二比较器U4的输出端;
单稳态触发器U6,其输入端连接RS触发器U8的输出端;
第一分压器连接第三三极管Q6的发射极和第四三极管Q7的集电极;
单稳态触发器U6的高电输出端Q连接第一三极管Q4的基极和第二三极管Q5的基极且其低电输出端~Q连接第三三极管Q6的基极和第四三极管Q7的基极。
5.根据权利要求4所述的一种基于噪声隔离的自适应智能开关,其特征在于,所述的脉冲自适应电路,还包括反相器U5A,第五三极管U2A通过反相器U5A连接第二扫描脉冲发生器。
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