[发明专利]一种含镝的钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种含镝的钕铁硼磁体，经真空烧结而成，其特征在于：所述的钕铁硼磁体中镝的含量为1-4wt%。

2.根据权利要求1所述的一种含镝的钕铁硼磁体，其特征在于：所述钕铁硼磁体中镝的含量为2-3wt%。

3.权利要求1或2所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）镝金属放入在真空炉中，通入氢气，真空压力10^-5 -10^-8 bar，加热升温至350-500℃，获得镝氢化物，然后在氮气或惰性气体保护气氛中以环己烷作介质，将镝氢化物球磨成3-7微米的细粉，或在氮气或惰性气体保护气氛中采用喷射气流磨将镝氢化物球磨成3-7微米的细粉，随后将这些细粉放入氩气气氛的手套箱中干燥，得到镝氢化物细粉；

（2）将步骤（1）中制备好的镝氢化物细粉按质量百分比含量添加到钕铁硼粉末中，混合均匀；

（3）将步骤（2）经过均匀混合后的粉末在磁感应强度1.8-6T的脉冲磁场和1000-1400kg/cm²的等静压下压制成型，得到压胚；

（4）将压胚置入真空烧结炉内，以600-800℃/h的升温速率升至1010℃，然后50-150℃/h的升温速率升至1060℃，真空烧结2-4小时，随后分别在900℃退火1-2小时，在650℃二次退火1-2小时，冷却，最终获得钕铁硼磁体。

4.根据权利要求3所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中，所述真空炉压力为10^-8bar，温度为450℃。

5.根据权利要求3所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中，将镝氢化物球磨成4微米的细粉。

6.根据权利要求3所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中，均匀混合后的粉末在磁感应强度4.5T的脉冲磁场和1200 kg/cm²的等静压下压制成型。

7.根据权利要求3所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中，以700℃/h的升温速率升至1010℃，然后以100℃/h的升温速率至1060℃。

8.所述一种含镝的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中，先在900℃退火1小时，再在650℃二次退火1小时。