[发明专利]高纯免喷涂坩埚的生产工艺

权利要求书

1.高纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

Ⅰ、配置氮化硅浆料，将氮化硅浆料刷涂在普通石英坩埚的内表面；

Ⅱ、将刷涂后的坩埚置于130～200℃下烘干制得内表面具有氮化硅涂层的高纯免喷涂坩埚；

其中，按重量百分比计，氮化硅浆料组成包括：30～44%的α相含量≥90%的氮化硅粉、15～22%的硅溶胶和41～48%的去离子水；氮化硅浆料还包括铂催化剂。

2.根据权利要求1所述的高纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，硅溶胶的固含量为15～35%。

3.根据权利要求1所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，氮化硅浆料中铂的重量百分比为0.001～0.1%。

4.根据权利要求1所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，铂催化剂的载体为熔点和/或分解温度不小于1600℃的金属氧化物。

5.根据权利要求4所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，金属氧化物为三氧化二铝或者氧化锆。

6.根据权利要求1所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，氮化硅涂层的厚度为20～50微米。

7.根据权利要求1所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，氮化硅粉主要由100～150目的氮化硅粉A和200目以上的氮化硅粉B混合而成，氮化硅粉中氮化硅粉A的重量百分比为60～80%。

8.根据权利要求1或3所述的纯免喷涂坩埚的生产工艺，其特征在于，氮化硅浆料还包括0.1～3%的氮氧化硅微粉。