[发明专利]基于二维聚合物薄膜的忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种二维聚合物薄膜作为活性层得到的忆阻器，其特征在于，所述二维聚合物薄膜的制备方法包括以下步骤：

将芳香多醛混合溶液滴加在芳香多胺混合溶液的液面上，于室温20~25℃下放置至所述芳香多醛混合溶液中的芳香类有机溶剂B挥发完毕，在液面上得到二维聚合物薄膜，其中，

所述芳香多醛混合溶液中的芳香多醛与所述芳香多胺混合溶液中的芳香多胺的物质的量的比（0.0015~0.005）：0.01389；

所述芳香多胺混合溶液的配置方法为：将芳香多胺均匀分布在有机溶剂A中，得到溶液A，在所述溶液A中加入去离子水并均匀混合，得到浅棕色的芳香多胺混合溶液，其中，所述溶液A中芳香多胺的浓度为0.185~4.63 mmol/ mL，所述有机溶剂A为非质子性且与水互溶的有机试剂；

所述芳香多醛混合溶液的配置方法为：将芳香多醛均匀分布在芳香类有机溶剂B中，得到溶液B，在所述溶液B中加入有机酸，得到芳香多醛混合溶液，其中，所述芳香类有机溶剂B的体积份数与所述芳香多醛的物质的量份数的比为（0.5~1）：（0.0008~0.01），所述有机酸的体积为所述溶液B的体积的0.7~1.5%；

所述有机酸为醋酸、三氟乙酸或三氟甲磺酸；

芳香类有机溶剂B为氯苯、二氯苯或甲苯；

所述芳香多醛为均苯三甲醛；所述芳香多胺为对苯二胺。

2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器从上至下依次为：活性电极、二维聚合物薄膜和惰性电极，所述活性电极为铝层、铜层或银层；所述惰性电极为ITO导电玻璃层、金层或铂层。

3.根据权利要求2所述的忆阻器，其特征在于，所述芳香类有机溶剂B挥发完毕的时间为至少24小时。

4.根据权利要求3所述的忆阻器，其特征在于，在所述芳香多胺混合溶液中，所述去离子水的体积份数与所述芳香多胺的物质的量份数的比为1：（0.005~0.03）；所述体积份数的单位为mL，所述物质的量份数的单位为mmol。

5.根据权利要求4所述的忆阻器，其特征在于，所述去离子水为超纯水，电阻率为18.2MΩ﹒cm。

6.根据权利要求5所述的忆阻器，其特征在于，所述有机溶剂A为N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或二甲基亚砜。

7.根据权利要求6所述的忆阻器，其特征在于，所述活性电极的厚度为10~200 nm；所述二维聚合物薄膜的厚度为2~80 nm。

8.如权利要求1~7中任意一项所述忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）将所述二维聚合物薄膜转移至惰性电极的上表面，在真空干燥箱中于15~40℃下真空干燥2~10h；

b）在所述二维聚合物薄膜上蒸镀所述活性电极。

9.根据权利要求8所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，在所述步骤b）中，当所述活性电极为银层时，蒸镀所述银层的方法为：用铜网作为掩模板贴在所述二维聚合物薄膜的上表面，以0.05~2 Å的速率沉积厚度为20~100 nm的银层，沉积结束后取下所述铜网，完成蒸镀银层。

10.根据权利要求9所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述铜网的目数为200~300目。