[发明专利]半导体生产设备自清洗方法及栅极字线结构制备方法

权利要求书

1.一种半导体生产设备的自清洗方法，所述半导体生产设备包括一膜沉积反应腔室，其特征在于，所述自清洗方法包括步骤：

对所述反应腔室进行快速变压处理，使所述反应腔室内的压强呈第一气压及第二气压交替循环变化，以使得形成于所述反应腔室内壁的微粒薄膜在周期性快速变压处理所产生的外力的作用下剥落；单一所述快速变压周期内，首先将所述反应腔室中的压强自制程气压升至所述第一气压并保持一高压时间，再将所述反应腔室中的压强自所述第一气压降至所述第二气压并保持一低压时间；

其中，所述第一气压大于所述第二气压，在所述反应腔室内的压强降至所述第二气压的抽低压过程中，剥落的薄膜颗粒随所述抽低压过程的气流自所述反应腔室内排出；所述半导体生产设备还包括一微波发生装置，所述自清洗方法还包括周期性进行所述微波发生装置反复开关的步骤，所述微波发生装置产生的微波解离吸附在所述反应腔室内壁未沉积成所述微粒薄膜的气体；

单一所述快速变压的周期包括升至所述第一气压一次及降至所述第二气压一次，单一所述微波发生装置开关的周期包括所述微波发生装置开启一次及所述微波发生装置关闭一次，其中，单一所述快速变压周期中处于所述第二气压状态与单一所述微波发生装置开关周期中处于所述微波发生装置开启状态的交叠时间介于10s~70s之间，单一所述快速变压周期与单一所述微波发生装置开关周期所需的时间相同，二者构成一清洗循环周期，且每一所述清洗循环周期中，所述反应腔室升至所述第一气压的时刻早于所述微波发生装置开启的时刻，所述反应腔室中所述第一气压状态结束的时刻晚于所述微波发生装置关闭的时刻。

2.根据权利要求1所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，所述微波发生装置开启时的微波功率介于1200w~2500w之间。

3.根据权利要求1所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，对所述半导体生产设备进行清洗的过程中，重复所述清洗循环周期的次数介于2次~7次之间。

4.根据权利要求1所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，单一所述微波发生装置开关周期内，首先停留一缓冲时间，然后开启所述微波发生装置并保持一微波开启时间，最后关闭所述微波发生装置并保持一微波关闭时间。

5.根据权利要求4所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，所述缓冲时间介于5s~35s之间，所述微波开启时间介于20s~140s之间，所述微波关闭时间介于10s~70s之间；对所述半导体生产设备进行清洗的过程中，重复所述微波发生装置开关周期至少两次。

6.根据权利要求1所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，单一所述快速变压周期内，首先将所述反应腔室中的压强自制程气压升至所述第一气压并保持一高压时间，再将所述反应腔室中的压强自所述第一气压降至所述第二气压并保持一低压时间。

7.根据权利要求6所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，所述快速变压周期中，所述第二气压的大小与所述反应腔室中的所述制程气压的大小相等。

8.根据权利要求6所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，所述第一气压介于1torr~5torr之间，所述高压时间介于15s~105s之间，所述第二气压介于0.07torr~0.5torr之间，所述低压时间介于20s~140s之间；对所述半导体生产设备进行清洗的过程中，重复所述快速变压周期至少两次。

9.根据权利要求1~8中任意一项所述的半导体生产设备的自清洗方法，其特征在于，所述自清洗方法还包括通过清洗气体将剥落的所述薄膜颗粒带出所述反应腔室的步骤。