[发明专利]一种用于SSD的SLC Cache的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201810279074.1 申请日: 2018-03-31
公开(公告)号: CN108509355A 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 孙成昆;黄华坤 申请(专利权)人: 北京联想核芯科技有限公司
主分类号: G06F12/0868 分类号: G06F12/0868;G06F12/0871
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100176 北京市大兴区北京经*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 写入区域 方法和装置 写入 技术效果 数据丢失 写入性能 最大性能 编程 申请 保证
【权利要求书】:

1.一种用于SSD的SLC Cache的方法,其特征在于,所述方法包括:

获得动态大小的SLC Cache区域;

将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域,其中,所述第一写入区域为SLC直接写入区域,所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域;

如果所述第一写入区域未满,则Host数据直接写入所述第一写入区域;

如果所述第一写入区域已满,则开启所述第二写入区域,将Host数据写入第二写入区域。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

如果所述第二写入区域的TLC块写入完成,则擦除与所述TLC同时写入的SLC块。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

如果Host数据写操作选择PE较少的所述第二写入区域中的SLC块,继续SLC块和TLC块同时写入。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

如果Host数据写操作停止,则将所述第一写入区域的有效数据搬到所述第二写入区域中的TLC块中。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

如果在所述第二写入区域同时写入过程中发生异常掉电,则擦除未关闭的TLC块,在重建掉电时写入的SLC块即可。

6.一种用于SSD的SLC Cache的装置,其特征在于,所述装置包括:

第一获得单元,所述第一获得单元用于获得动态大小的SLC Cache区域;

第一分区单元,所述第一分区单元用于将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域,其中,所述第一写入区域为SLC直接写入区域,所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域;

第一写入单元,所述第一写入单元用于如果所述第一写入区域未满,则Host数据直接写入所述第一写入区域;

第二写入单元,所述第二写入单元用于如果所述第一写入区域已满,则开启所述第二写入区域,将Host数据写入第二写入区域。

7.一种用于SSD的SLC Cache的装置,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时实现以下步骤:

获得动态大小的SLC Cache区域;

将所述SLC Cache区域分为第一写入区域和第二写入区域,其中,所述第一写入区域为SLC直接写入区域,所述第二写入区域为SLC和TLC同时写入区域;

如果所述第一写入区域未满,则Host数据直接写入所述第一写入区域;

如果所述第一写入区域已满,则开启所述第二写入区域,将Host数据写入第二写入区域。

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