[发明专利]一种用于提高SSD写入效率的组块方法和装置

说明书

本发明提供了一种用于提高SSD写入效率的组块方法和装置，通过获得SSD硬盘中各个bank的坏块分布情况；根据所述坏块分布情况获得各个bank的vblock数据情况；根据所述各个bank的vblock数据情况，将vblock数据较多的bank借入vblock数据较少的bank中，其中，vblock数据较少的bank从一个vblock数据较多的bank中借块。解决现有技术中每个bank拿出一个vblock组成mblk，当某一个mblk中有多个bank是从其他bank借的vblock时，写数据的时候不能充分发挥多通道并行写的性能，影响写入速度的技术问题，实现了能够充分利用各个bank上的好块、提高op，又能最大程度减小组合块对写入性能的影响，保证写入速度的技术效果。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种用于提高SSD写入效率的组块方法和装置。

背景技术

Nand flush时SSD的核心硬件，其质量决定了firmware的设计方案。相较于2D tlc型Nand flush，3D Nand flush颗粒稳定性能较差，易产生较多的出厂坏块。当各bank中坏块数目相差较大时，会对写入性能及op大小产生影响。为了保证SSD有较高的写入性能，要求的写入时各个bank都有可写块，这就要求vblock数目较少的bank从vblock数目较多的bank借块。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

现有技术中的每个bank拿出一个vblock组成mblk，当某一个mblk中有多个bank是从其他bank借的vblock时，写数据的时候不能充分发挥多通道并行写的性能，影响写入速度。

发明内容

本发明实施例提供了一种用于提高SSD写入效率的组块方法和装置，解决现有技术中每个bank拿出一个vblock组成mblk，当某一个mblk中有多个bank是从其他bank借的vblock时，写数据的时候不能充分发挥多通道并行写的性能，影响写入速度的技术问题，实现了能够充分利用各个bank上的好块、提高op，又能最大程度减小组合块对写入性能的影响，保证写入速度的技术效果。

鉴于上述问题，提出了本申请实施例以便提供一种用于提高SSD写入效率的组块方法和装置。

第一方面，本发明提供了一种用于提高SSD写入效率的组块方法，所述方法包括：

获得SSD硬盘中各个bank的坏块分布情况；根据所述坏块分布情况获得各个bank的vblock数据情况；根据所述各个bank的vblock数据情况，将vblock数据较多的bank借入vblock数据较少的bank中，其中，vblock数据较少的bank从一个vblock数据较多的bank中借块。

优选地，所述方法还包括：借块之后的各个bank中的vblock数据相同。

第二方面，本发明提供了一种用于提高SSD写入效率的组块装置，所述装置包括：

第一获得单元，所述第一获得单元用于获得SSD硬盘中各个bank的坏块分布情况；

第二获得单元，所述第二获得单元用于根据所述坏块分布情况获得各个bank的vblock数据情况；

第一操作单元，所述第一操作单元用于根据所述各个bank的vblock数据情况，将vblock数据较多的bank借入vblock数据较少的bank中，其中，vblock数据较少的bank从一个vblock数据较多的bank中借块。

优选地，所述装置还包括：

第一操作单元中借块之后的各个bank中的vblock数据相同。