[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括电池基体、钝化膜和背电极，所述钝化膜位于所述电池基体与所述背电极之间，且所述钝化膜设有开孔区域，所述开孔区域内设有高功函数半导体材料层，所述高功函数半导体材料层位于所述电池基体与所述背电极之间；所述高功函数半导体材料层的层数为2层，包括设置在电池基体表面的第一高功函数半导体材料层和设置在第一高功函数半导体材料层远离电池基体的表面的第二高功函数半导体材料层，其中第一高功函数半导体材料层为V₂O₅层，第二高功函数半导体材料层为WO₃层；

其中，所述电池基体中的电极为负极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，每层高功函数半导体材料层的厚度为0.5-20nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电池基体为P型硅片。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述电池基体正面设有氮化硅减反膜。

5.一种权利要求1-4任一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在电池基体表面分别制备钝化膜和高功函数半导体材料层，然后在所述钝化膜与所述高功函数半导体材料层表面制备背电极，得到所述太阳能电池。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用热蒸镀或者磁控溅射工艺制备高功函数半导体材料层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，蒸镀过程中的蒸发速率为0.1-10A/s。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用沉积工艺在所述钝化膜与所述高功函数半导体材料层表面制备背电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述背电极的材料选自Al、Ag、Ni、Cu、Pb、TCO或ITO中的一种或至少两种的组合。