[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201810282446.6 | 申请日: | 2014-12-23 |
公开(公告)号: | CN108511462B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 李瑛长;郑浩永 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
有机发光二极管显示装置。一种有机发光二极管显示装置包括:基板;基板上的选通线和数据线;与选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管;与开关薄膜晶体管连接并包括第一半导体层的驱动薄膜晶体管;与驱动薄膜晶体管的栅极和漏极连接的存储电容器;与漏极连接并发光的发光二极管,其中,存储电容器包括与漏极连接的第一电容器电极和与栅极连接的第二电容器电极,其中,在第一电容器电极和第二电容器电极之间设置缓冲层、第二半导体层和栅绝缘层,栅绝缘层具有暴露第二半导体层的至少一个孔。
本申请是申请日为2014年12月23日、申请号为201410858160.X、发明名称为“有机发光二极管显示装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开涉及有机发光二极管显示装置,更特别地,涉及增加存储电容器的电容的有机发光二极管显示装置及其制造方法。
背景技术
近来,平板显示器因其薄外形、重量轻和低功耗已经广泛地发展并应用于各种领域。
在平板显示器之中,可被称作有机电致发光显示装置的有机发光二极管(OLED)显示装置在电子空穴对损耗期间发光,该电子空穴对是通过将电荷注入用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极之间的发光层形成的。
OLED显示装置包括诸如塑料的柔性基板;因为其是自发光,所以OLED显示装置具有优良的对比度;OLED显示装置具有几微秒的响应时间,并且在显示移动图像时具有优势;OLED显示装置具有宽视角并在低温下是稳定的;因为OLED显示装置通过5V至15V的直流(DC)低电压进行驱动,所以很容易设计和制造驱动电路;OLED显示装置的制造方法简单,因为仅需要沉积和封装步骤。
OLED显示装置根据驱动方法可分为无源矩阵型和有源矩阵型。有源矩阵型显示装置因为其低功耗、高清晰度和大尺寸可能性已经被广泛使用。
图1是根据现有技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。
如图1中所示,OLED显示装置包括选通线GL、数据线DL、开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。选通线GL和数据线DL彼此交叉,以限定像素区P。开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De形成在像素区P内。
更特别地,开关薄膜晶体管Ts的栅极与选通线GL连接,开关薄膜晶体管Ts的源极与数据线DL连接。驱动薄膜晶体管Td的栅极与开关薄膜晶体管Ts的漏极连接,驱动薄膜晶体管Td的源极与高电压源VDD连接。发光二极管De的阳极与驱动薄膜晶体管Td的漏极连接,发光二极管De的阴极与低电压源VSS连接。存储电容器Cst与驱动薄膜晶体管Td的栅极和漏极连接。
在OLED显示装置的操作中,当开关薄膜晶体管Ts利用通过选通线GL施加的选通信号而导通时,来自数据线DL的数据信号通过开关薄膜晶体管Ts被施加到驱动薄膜晶体管Td的栅极和存储电容器Cst的电极。当驱动薄膜晶体管Td利用数据信号而导通时,流过发光二极管De的电流受到控制,从而显示图像。发光二极管De由于通过驱动薄膜晶体管Td从高电压源VDD施加的电流而发光。
即,流过发光二极管De的电流量与数据信号的幅度成比例,发光二极管De发射的光强度与流过发光二极管De的电流量成比例。因此,像素区P根据数据信号幅度表现不同的灰度级,结果,OLED显示装置显示图像。
当开关薄膜晶体管Ts截止时,存储电容器Cst将对应数据信号的电荷保持一帧。因此,即使开关薄膜晶体管Ts截止,存储电容器Cst也允许流过发光二极管De的电流量恒定并且发光二极管De表现的灰度级能被保持直到下一帧。
为此,存储电容器Cst的电容需要高于预定值。然而,为了实现高清显示装置,像素区P的尺寸减小,存储电容器Cst的区域也减小。因此,存储电容器Cst的电容降低。如果存储电容器Cst的区域增加,则有效发光区域和补偿电路的区域受到限制。因此,难以获得存储电容器Cst的充足电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的