[发明专利]一种嵌入式电容转接板封装结构及制造方法有效
申请号: | 201810283286.7 | 申请日: | 2018-04-02 |
公开(公告)号: | CN108461483B | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
发明(设计)人: | 徐健 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L21/768;H01L23/498;H01L23/31;H01L21/60 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 嵌入式 电容 转接 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种嵌入式电容转接板封装结构,包括:
硅转接板;
设置在所述硅转接板第一面的第一电容电极;
封装基板;
设置在所述封装基板第一面的第二电容电极,所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐;以及
介质材料,所述介质材料将所述硅转接板的第一面贴装至所述封装基板的第一面上,所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐且中间被所述介质材料填充,所述介质材料与所述第一电容电极、所述第二电容电极一起构成完整的电容结构。
2.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,还包括:
设置在所述硅转接板中的硅通孔;以及
设置在所述硅转接板第一面相对的硅转接板第二面上的硅转接板互连电路,所述硅通孔电互连至所述第一电容电极和或所述硅转接板互连电路。
3.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,还包括:
设置在所述封装基板第一面的封装基板互连电路;
设置在所述封装基板中的封装基板通孔;以及
设置在与所述封装基板第一面相对的封装基板第二面上的外接焊盘,所述封装基板通孔电互连至所述第二电容电极和或所述封装基板互连电路。
4.如权利要求1所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,还包括:
设置在所述硅转接板第二面上的芯片;
电互连所述芯片和/或所述硅转接板和或所述封装基板的引线;以及
位于所述封装基板第一面之上,且包裹所述硅转接板、所述芯片以及所述引线的塑封层。
5.如权利要求3所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,还包括设置在所述外接焊盘上的外接焊球。
6.如权利要求2所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,所述硅转接板互连电路包括互连线路和或芯片焊盘和或引线焊盘。
7.如权利要求3所述的嵌入式电容转接板封装结构,其特征在于,所述封装基板互连电路包括互连线路和或引线焊盘。
8.一种嵌入式电容转接板封装结构的制造方法,包括:
在硅转接板的第一面上形成第一电容电极;
在封装基板的第一面上形成第二电容电极;以及
通过介质材料将所述硅转接板的第一面贴装至所述封装基板的第一面上,所述第一电容电极与所述第二电容电极平行对齐且中间被所述介质材料填充,所述介质材料与所述第一电容电极、所述第二电容电极一起构成完整的电容结构。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述硅转接板内形成硅通孔;
在与所述硅转接板第一面相对的硅转接板第二面上形成互连电路及焊盘;
在所述封装基板第一面上形成封装基板互连电路;
在所述封装基板内形成封装基板通孔;以及
在与所述封装基板第一面相对的封装基板第二面上外接焊盘。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述硅转接板第二面上贴装芯片;
通过引线键合完成芯片、硅转接板以及封装基板之间的电互连;
形成覆盖芯片、转接板及引线的塑封层;以及
在封装基板的外接焊盘上形成外接焊球。
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