[发明专利]HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在HgCdTe外延片上通过负性光刻胶制备出金属阻挡电极的光刻胶图形，再通过镀膜技术沉积一层金属，然后通过剥离技术去除光刻胶表面的金属并通过去胶工艺去除光刻胶，形成金属阻挡电极；

(2)通过物理或化学方法在制备有金属阻挡电极的外延片表面沉积一层钝化层；

(3)通过光刻胶在钝化层表面制备出含电学接触孔结构的光刻胶图形，作为在钝化层上刻蚀电学接触孔的掩膜；

(4)通过干法刻蚀，刻蚀掉光刻胶孔处裸露的钝化层材料，直至露出金属阻挡电极；

(5)通过溶剂湿法或者氧离子干法去除光刻胶掩膜。

2.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(1)中形成的金属阻挡电极的厚度为20nm-1um。

3.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(1)中金属阻挡电极的材质为Cr、Sn、Au、Ti、Al、Pt中的一种。

4.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(1)中，在HgCdTe外延片的每个像素注入区上均制备金属阻挡电极，所述金属阻挡电极与所述像素注入区同心，且面积小于像素注入区面积。

5.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(2)中沉积的钝化层的材料为ZnS或S或CdTe。

6.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(3)中，光刻胶图形上的电学接触孔结构与所述金属阻挡电极同心，且孔径小于所述金属阻挡电极的直径。

7.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(3)中，光刻胶掩膜的厚度大于干法刻蚀过程光刻胶被刻蚀掉的厚度。

8.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(4)中，干法刻蚀所选用的气体是BCl₃或Cl₂或CHF₃。

9.如权利要求8所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(4)中，干法刻蚀所选用的气体还包括Ar气体。

10.如权利要求1所述的HgCdTe器件钝化层的电学接触孔刻蚀方法，其特征在于：所述步骤(4)中，对钝化层刻蚀完后继续对金属阻挡电极进行过刻蚀，对金属阻挡电极刻蚀的速率低于对钝化层刻蚀的速率。