[发明专利]一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置

权利要求书

1.一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，老化温控箱顶面安装有盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱底面安装盐雾传感器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱内的温湿度传感器、盐雾传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：

步骤1、判定是否湿热冲击环境下测试，若是，执行湿热冲击环境下的测试，然后确认是否退出测试；

步骤2、判定是否在雨环境下测试，若是，执行雨环境下的测试；然后确认是否退出测试；

步骤3、判定是否在高盐分环境下测试，若是，执行高盐分环境下的测试；然后确认是否退出测试；

步骤4、判定是否在高湿度环境下测试，若是，执行高湿度环境下的测试；然后确认是否退出测试；

步骤5、执行单周期高温老化的测试，然后确认是否退出测试；

SiC Mosfet器件失效或者设定时间，程序结束。

2.根据权利要求1所述的SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：所述步骤1中，执行湿热冲击环境下的测试步骤包括：

（1）、输出温度、湿度参数，启动加热和水雾喷头；

（2）、读取温湿传感器输入的温度、湿度值；

（3）、按设定温湿参数构建温湿环境；

（4）、检测SiC Mosfet器件是否失效，若未失效，转入主程序进行下一项测试。

3.根据权利要求1所述的SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：所述步骤2中，执行雨环境下的测试步骤包括：

（1）、输出输出喷水信号，启动水喷头；

（2）、检测SiC Mosfet器件是否失效，若未失效，转入主程序进行下一项测试。

4.根据权利要求1所述的SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：所述步骤3中，执行高盐分环境下的测试步骤包括：

（1）、输出喷盐雾信号，启动盐雾喷头；

（2）、读取当前盐雾传感器输入的盐度值；

（3）、按设定盐雾参数构建盐雾环境；

（4）、检测SiC Mosfet器件是否失效，若未失效，转入主程序进行下一项测试。

5.根据权利要求1所述的SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：所述步骤4中，执行高湿度环境下的测试步骤包括：

（1）、输出加湿信号，启动喷雾头；

（2）、读取当前湿度传感器输入的湿度值；

（3）、按设定湿度参数构建湿度环境；

（4）、检测SiC Mosfet器件是否失效，若未失效，转入主程序进行下一项测试。

6.根据权利要求1所述的SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：所述步骤5中，执行单周期高温老化的测试步骤包括：

（1）、输出加温信号，启动加热器；

（2）、读取当前传感器输入的温度；

（3）、按设定时间保持温度环境；

（4）、检测SiC Mosfet器件是否失效，如未失效，提升温度进行下一轮高温老化测试。