[发明专利]一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路在审
| 申请号： | 201810284436.6 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN110351769A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 胡善文;于澍;宋海瑞;胡云清;王子轩 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司 |
| 主分类号： | H04W28/02 | 分类号： | H04W28/02;H04W40/04;H04W40/12;H04W40/24;H04W84/12;H04B17/309 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 姚姣阳 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二级放大器 第一级放大器 宽带低噪声放大器 输入匹配模块 反相器结构 电路 放大模块 偏置模块 输出节点 输出匹配 输入节点 双反相器 带宽 放大器电路 宽带低噪声 带宽保持 电流复用 电压增益 放大电路 两级放大 模块连接 耦合电容 第一级 每一级 级联 叠加 放大 | ||
1.一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括第一级放大器、第二级放大器、输入匹配模块、输出匹配模块和偏置模块，所述第一级放大器和所述第二级放大器均为反相器结构，所述第一级放大器的输出节点通过耦合电容C2与所述第二级放大器的输入节点相连，所述输入匹配模块连接所述第一级放大器的输入节点，所述输出匹配模块连接所述第二级放大器的输出节点，所述偏置模块设置于所述第一级放大器和所述第二级放大器之间。
2.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一级放大器包括第一N型MOS管NM1、反馈电阻Rf和第一P型MOS管PM1，所述第一N型MOS管NM1的栅极与所述第一P型MOS管PM1的栅极相连，所述第一N型MOS管NM1的漏极与所述第一P型MOS管PM1的漏极相连，两栅极之间设有所述第一级放大器的输入节点，两漏极之间设有所述第一级放大器的输出节点，所述第一级放大器的输入节点通过所述反馈电阻Rf与所述第一级放大器的输出节点相连，所述第一N型MOS管NM1的源极接地，所述第一P型MOS管PM1的源极接电源端。
3.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述第二级放大器包括第二N型MOS管NM2和第二P型MOS管PM2，所述第二N型MOS管NM2的栅极与所述第二P型MOS管PM2的栅极相连，所述第二N型MOS管NM2的漏极与所述第二P型MOS管PM2的漏极相连；两栅极之间设有所述第二级放大器的输入节点，两漏极之间设有所述第二级放大器的输出节点，所述第二N型MOS管NM2的源极接地，所述第二P型MOS管PM2的源极接电源端。
4.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述偏置模块包括第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1与所述第二点R2串联，偏置点位于第一电阻R1和第二电阻R2之间，并分别与第一级放大器的输出节点和第二级放大器的输入节点相连。
5.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入匹配模块包括第一电容C1和第一电感L1，所述第一电感L1的一端连接射频输入接口RFin，其另一端通过电容C1与第一级放大器的输入节点相连。
6.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述输出匹配模块包括第二电容C3和第二电感L2，所述第二电容C3的一端连接第二级放大器的输出节点，其另一端通过第二电感L2与射频输出接口相连。
7.根据权利要求1所述的一种双反相器结构的宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述第一电感L1和所述第二电感L2为键合线电感。
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