[发明专利]一种光罩及接触孔的制作方法在审
| 申请号： | 201810284730.7 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN108693698A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 温彦跃 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/54 | 分类号： | G03F1/54;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触孔 光罩 平坦层 钝化层 绝缘层 蚀刻 圆形透光孔 制作 金属层 圆环形 狭缝 干蚀刻 同心的 透光区 遮光区 自对准 叠层 光刻 孔壁 暴露 | ||
1.一种光罩，其特征在于，包括：
与待制作的接触孔对应的圆形透光孔；
围绕所述圆形透光孔且与其同心的圆环形狭缝区，所述圆环形狭缝区用于在通过PFA工艺形成的平坦层上形成所述接触孔的孔壁，并分布有至少一个遮光区和至少一个透光区。
2.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述圆环形狭缝区围绕所述圆形透光孔分布有多个遮光区和一个透光区，所述遮光区与透光区均为与所述圆形透光孔同心的圆环。
3.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述遮光区包括第一遮光区和第二遮光区，所述透光区位于所述第一遮光区和所述第二遮光区之间。
4.根据权利要求3所述的光罩，其特征在于，所述第一遮光区、所述透光区和所述第二遮光区的宽度均相等。
5.根据权利要求2所述的光罩，其特征在于，所述圆形透光孔的直径为4-5μm，所述圆环形狭缝区的宽度为2-3μm。
6.根据权利要求1所述的光罩，其特征在于，所述圆环形狭缝区沿圆周方向分布有多个遮光区和多个透光区，所述遮光区与透光区均为与所述圆形透光孔同心的圆环扇形。
7.根据权利要求5所述的光罩，其特征在于，所述遮光区与透光区沿所述圆环形狭缝区的圆周方向交替分布，且圆心角均相等。
8.根据权利要求5所述的光罩，其特征在于，所述圆形透光孔的直径为5-6μm，所述圆环形狭缝区的宽度为2-3μm，所述遮光区和所述透光区的外环弧长小于1μm。
9.一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：
形成自下而上依次叠层的金属层、绝缘层和钝化层；
在所述钝化层上通过PFA工艺形成平坦层；
采用如权利要求1-7任一项所述的光罩对所述平坦层进行光刻，形成第一接触孔；
以所述平坦层为自对准光罩，采用干蚀刻工艺对所述绝缘层和钝化层进行蚀刻，在所述第一接触孔下方对应形成第二接触孔，所述金属层至少部分地暴露于所述第一接触孔和第二接触孔。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，形成第二接触孔时还包括对所述平坦层进行灰化处理，去除其上的灰化层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
