[发明专利]具有可调变起始电压的Mosfet组件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有可调变起始电压的Mosfet组件，其特征在于，包括保护层、金属层、连接层、P型离子层、ILD电介层、N型源极区、多晶闸区、闸极氧化层、轻参杂P型区、P阱区、N型碳化硅外延区、N型漏极区，N型漏极区位于N型碳化硅外延区的底端，闸极氧化层、轻参杂P型区、P阱区都位于N型碳化硅外延区的顶端，P型离子层和N型源极区都位于P阱区的上方，N型源极区和P阱区都位于轻参杂P型区的侧面，轻参杂P型区位于闸极氧化层的外侧，多晶闸区位于闸极氧化层内，N型源极区、多晶闸区、闸极氧化层、轻参杂P型区都位于ILD电介层的下方，连接层位于ILD电介层的外侧，连接层和ILD电介层都位于金属层的底端，金属层位于保护层的底端。

2.根据权利要求1所述的具有可调变起始电压的Mosfet组件，其特征在于，所述金属层为AlSiCu金属层。

3.一种具有可调变起始电压的Mosfet组件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一，在N型硅基板或在N型碳化硅基板上进行P阱区离子植入及高温回火，形成P阱区；

步骤二，闸极沟槽曝光显影及蚀刻；

步骤三，在蚀刻及光阻去除后沉积薄层重参杂N型硅或涂布N型扩散剂，形成轻参杂P型区；

步骤四，对轻参杂P型区进行高温扩散处理及清洗；

步骤五，闸极氧化物成长与闸区晶硅沉积，形成闸极氧化层；

步骤六，多晶硅回蚀刻，形成多晶闸区；

步骤七，源极曝光显影及N型重参杂离子植入，形成N型源极区；

步骤八，介电物质沉积及连接层都进行曝光显影和蚀刻，分别形成ILD介电层和连接层；

步骤九，连接层植入P型离子，形成P型离子层；

步骤十，金属物质沉积、曝光显影及蚀刻，形成金属层；

步骤十一，保护物质沉积、曝光显影及蚀刻，形成保护层。

4.根据权利要求3所述的具有可调变起始电压的Mosfet组件的制造方法，其特征在于，所述N型硅或涂布N型扩散剂的浓度都小于P型参杂离子的浓度。