[发明专利]阵列基板及其制造方法在审

申请号：	201810287243.6	申请日：	2018-03-30
公开（公告）号：	CN108511463A	公开（公告）日：	2018-09-07
发明（设计）人：	谢锐	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L27/32
代理公司：	深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304	代理人：	孙伟峰;阳志全
地址：	430070 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	半导体层栅极绝缘层阵列基板粗糙度缓冲层斜坡衬底顶面阵列基板边缘膜厚均一性电压击穿栅电极层漏电流平坦处上表面膜厚锐角制造覆盖
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【权利要求书】：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底(10)、依次设于所述衬底(10)上方的缓冲层(20)、半导体层(30)、覆盖在所述半导体层(30)上表面的栅极绝缘层(40)以及设于所述栅极绝缘层(40)上方的栅电极层(50)，位于所述半导体层(30)的两相对侧的斜面(T)与所述缓冲层(20)的所成角度均为锐角，且所述斜面(T)的粗糙度大于所述半导体层(30)的顶面。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层(30)包括第一部分和分别位于所述第一部分两侧的第二部分、第三部分，所述第二部分、所述第三部分的外表面为所述斜面(T)，所述第二部分、所述第三部分的表面粗糙度大于所述第一部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层(20)为氮化硅层、氧化硅层或二者的组合。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括遮光层，所述遮光层设置在所述衬底(10)与所述半导体层(30)之间且遮挡所述半导体层(30)。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层形成于所述衬底(10)表面，所述缓冲层(20)完全覆盖所述遮光层。

6.根据权利要求1-5任一所述的阵列基板，其特征在于，所述斜面(T)为经F离子轰击处理后形成凹凸不平的表面。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底(10)；

在所述衬底(10)上依次制作缓冲层(20)、半导体层(30)；

对所述半导体层(30)的两相对侧的斜面(T)处理，提高其粗糙度；

在所述半导体层(30)表面制作栅极绝缘层(40)，使栅极绝缘层(40)同时覆盖所述半导体层(30)的顶面和侧面；

在所述栅极绝缘层(40)表面制作栅电极层(50)。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层(20)为氮化硅层、氧化硅层或二者的组合。