[发明专利]电子设备在审
申请号: | 201810287346.2 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108895330A | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 张振启;刘晓东 | 申请(专利权)人: | 联想(北京)有限公司 |
主分类号: | F21S8/00 | 分类号: | F21S8/00;F21V7/09;F21V13/12;F21Y115/10;F21Y105/18 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李梅香;张颖玲 |
地址: | 100085*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二区域 电子设备 发光模组 第一区域 入射角 反光组件 光学模组 光源 | ||
1.一种电子设备,包括:
发光模组,包括至少一个光源;
光学模组,包括:
反光组件,具有第一区域和第二区域;其中,所述第一区域与所述发光模组的距离为第一距离;所述第二区域与所述发光模组之间的距离为第二距离;所述第一距离小于所述第二距离;所述第二区域的光线平均入射角大于所述第二区域的材质入射角。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,
所述第一区域具有第一材质,所述第二区域具有第二材质,所述第一材质和所述第二材质相同;
所述第一区域具有第一结构,所述第二区域具有第二结构;所述第二结构,使得所述第二区域的光线平均入射角大于所述第二区域的材质入射角。
3.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,
所述第一结构和所述第二结构不同,第一结构使得第一区域的光线平均入射角大于所述第一区域的材质入射角;
所述第一结构包括:位于所述第一区域的反射平面;所述第二结构包括:位于所述第二区域的反射凹槽及反射平面;
或者,
所述第一结构包括:位于所述第一区域的反射平面,所述第二结构包括:位于第二区域的反射弧面;
或者,
所述第一结构包括:位于所述第一区域的反射弧面;所述第二结构包括:位于所述第二区域的反射弧面;其中,位于所述第一区域的反射弧面具有第一曲率;位于所述第二区域的反射弧面具有第二曲率;所述第二曲率不同于所述第一曲率;
或者,
所述第一结构包括:位于所述第一区域的反射弧面,所述第二结构包括:位于所述第二区域的反射凹槽及反射平面;
或者,
所述第一结构包括:位于所述第一区域的反射弧面,所述第二结构包括:位于所述第二区域反射弧面及反射凹槽;
或者,
所述第一结构包括:位于所述第一区域的具有第一属性的反射凹槽,所述第二结构包括:位于所述第二区域的具有第二属性的反射凹槽;其中,所述第一属性不同于第二属性,所述第一属性,用于表征所述第一区域的反射凹槽的形状和/或尺寸和/或分布,所述第二属性用于表征所述第二区域的反射凹槽的形状和/或尺寸和/或分布。
4.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,
所述第一结构包括:位于所述第一区域具有第一属性的反射凹槽;所述第二结构包括:位于第二区域具有所述第一属性的反射凹槽;
和/或,
所述第二结构包括:位于所述第一区域具有第三曲率的反射弧面;所述第二结构包括:位于所述第二区域具有所述第三曲率的反射弧面。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,
所述第一区域具有第一材质,所述第二区域具有第二材质;第一材质和所述第二材质不同;
所述第二材质,使得所述第二区域的光线平均入射角大于所述第二区域的材质入射角。
6.一种电子设备,其特征在于,包括:
发光模组,包括:第一光源和第二光源;
光学模组,包括:
反光组件,所述反光组件具有第一区域、第二区域及第三区域;所述第一区域与所述第一光源之间的距离为第一距离;所述第三区域与所述第二光源之间的距离为第三距离;所述第二区域位于所述第一区域和所述第三区域之间,且与所述第一光源之间的距离为第二距离,与所述第二光源之间的距离为第四距离,所述第二距离分别大于所述第一距离和所述第三距离;所述第四距离分别大于所述第一距离和所述第三距离;
所述第一区域具有第一光入射量和第一反射率;
所述第二区域具有第二光入射量和第二反射率;
所述第三区域具有第三光入射量和第三反射率;
其中,所述第二光入射量及所述第二反射率得到第二乘积,与所述第一光入射量及所述第一反射率得到第一乘积,满足光均匀条件;和/或,所述第二光入射量及所述第二反射率得到第二乘积,与所述三光入射量和所述第三反射率的第三乘积,满足光均匀条件。
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