[发明专利]近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法在审
申请号: | 201810287429.1 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN108277004A | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 陈冠英;谭美玲 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C09K11/85 | 分类号: | C09K11/85;C09K11/02 |
代理公司: | 哈尔滨市文洋专利代理事务所(普通合伙) 23210 | 代理人: | 王艳萍 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光寿命 纳米晶 六方相 核壳结构纳米晶 掺杂离子 稀土掺杂 成像技术 复合成像 核壳结构 红外纳米 近红外区 立方相 时间门 可变 离子 合成 应用 | ||
1.一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于该方法为:近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶为立方相NaYF4:Yb,Nd,E@CaF2、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaYF4、六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaLuF4或者六方相NaYF4:Yb,Nd,E@NaGdF4,其中固定掺杂离子为Yb和Nd,可变掺杂离子为E且E为Yb、Er、Ho、Tm或Nd;通过改变E离子的浓度来调节近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶的荧光寿命。
2.根据权利要求1所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于可变掺杂离子E为Yb,提高E离子掺杂浓度,在800nm的激光激发下,近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶在980nm发射处的荧光寿命也增强。
3.根据权利要求1所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于可变掺杂离子E为Nd离子,提高E离子掺杂浓度,在800nm的激光激发下,近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶在980nm发射处的荧光寿命缩短。
4.根据权利要求1所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于可变掺杂离子E为Er,Ho或Tm,提高E离子掺杂浓度,在800nm的激光激发下,近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶的荧光寿命缩短。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于固定掺杂离子Yb的掺杂摩尔百分浓度为x%,其中x=10~30。
6.根据权利要求1、2、3或4所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于固定掺杂离子Nd的掺杂摩尔百分浓度为x%,其中x=1~30。
7.根据权利要求3所述的一种近红外核壳结构纳米晶荧光寿命的调节方法,其特征在于近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶NaYF4:Yb,Nd@CaF2在固定掺杂离子Yb的摩尔百分浓度为10%、固定掺杂离子Nd的摩尔百分浓度为10%,可变掺杂离子为E为Nd,在800nm的激光激发下,近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶在980nm发射处的荧光寿命与可变掺杂离子E的浓度的关系式为y=A+B exp(-x/C),其中A=0.030~0.031,B=2.088~2.089,C=31.41~31.42;y表示纳米晶在980nm发射处的荧光寿命,单位为ms;x%表示可变掺杂离子E的掺杂摩尔百分浓度,根据该关系式通过改变可变掺杂离子E的浓度来调节近红外核壳结构稀土掺杂纳米晶在980nm发射处的荧光寿命。
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