[发明专利]一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法及其制造工艺

权利要求书

1.一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法，其特征在于：所述调节场效应晶体管沟道长度的新方法利用沟槽设计出不同的离子注入的角度，形成的沟道区域的角度不同，得到不同深度的沟道，从而调节沟道长度；为了在调节沟道长度的同时不影响基区电阻，场效应晶体管利用沟槽作为阻挡，通过调节注入角度形成不同的沟道长度，同时通过调节contact的P型杂质来降低基区电阻且不影响沟道区。

2.根据权利要求1所述的一种调节场效应晶体管沟道长度的新方法，其特征在于：所述调节场效应晶体管沟道长度的新方法设计出一种带有辅助耗尽的P型柱结构的沟槽形场效应晶体管。

3.一种根据权利要求1或2所述的调节场效应晶体管沟道长度的新方法中场效应晶体管沟槽的制造工艺，其特征在于：所述沟槽的制造工艺具体包括如下步骤：

（1）Trench刻蚀：利用氮化硅作为掩模版，刻出栅槽，然后高温退火修复刻蚀带来的缺陷；

（2）分立栅Poly-1：在刻好的槽内生长或者淀积一定厚度的氧化层，根据电压应用不同，氧化层的厚度控制在0.1um～0.8um，然后淀积带掺杂的多晶硅poly，刻蚀栅氧区域的poly，低温氧化形成分立栅与多晶硅栅之间的氧化层；

（3）P-body注入：首先生长一层100A～300A的氧化层作为杂质注入的阻挡层，然后将沟槽作为掩模版，通过控制杂质注入与侧壁的角度来调节沟道长度，控制杂质剂量来调节沟道区浓度进而调节阈值电压；

（4）多晶硅栅Poly-2：湿法去除步骤（3）中生长的牺牲氧化层，然后生长栅氧化层，接着淀积带掺杂的多晶硅poly形成器件的栅极；

（5）N+注入：在cell区进行N+杂质注入，形成器件的源极；

（6）ILD及Contact：完成N+注入后，淀积一定厚度的氧化层，然后在source区刻蚀contact孔；

（7）P+注入：在刻好contact孔的wafer表面注入P型杂质形成器件的体区，P的杂质的浓度要与击穿电压相对应，过浓的P型杂质容易过早击穿，为了调节击穿电压，P+注入采用多次注入的方式来形成想要的杂质分布；

（8）Metal：淀积metal互连线，再淀积氧化层，最后在需要引出封装的地方开孔用作PAD。