[发明专利]一种柔性衬底基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201810292316.0 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN108305892A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 田宏伟;牛亚男;刘政;赵梦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性膜层 孤岛 凸起 衬底基板 图案 有机材料 显示装置 间隔层 制备 凹槽填充 间隙填充 柔性基底 图案覆盖 图案界定 重叠区域 投影 损伤 | ||
1.一种柔性衬底基板,其特征在于,包括第一柔性基底,所述第一柔性基底包括:
第一柔性膜层,所述第一柔性膜层包括柔性膜层本体、及位于所述柔性膜层本体一侧表面上的多个间隔设置的凸起;
第一间隔层,所述第一间隔层层叠设置于所述第一柔性膜层上,所述第一间隔层包括多个间隔设置的第一孤岛图案;
其中,每个所述凸起与一个所述第一孤岛图案位置对应,相邻所述凸起之间的间隙和相邻所述第一孤岛图案之间的间隙,在所述柔性膜层本体上的投影具有第一重叠区域;
在所述第一孤岛图案覆盖多个所述凸起的情况下,由所述凸起和所述第一孤岛图案界定出的第一凹槽中填充有有机材料,沿所述柔性膜层本体的厚度方向,所述有机材料的高度小于所述第一凹槽的高度;
在所述第一孤岛图案位于所述柔性膜层本体远离多个所述凸起一侧的情况下,相邻所述第一孤岛图案的间隙填充有有机材料。
2.根据权利要求1所述的柔性衬底基板,其特征在于,所述柔性衬底基板还包括第二柔性基底,所述第二柔性基底的第二柔性膜层和第二间隔层依次设置于所述第一间隔层远离所述第一柔性膜层的一侧;
在所述第一孤岛图案覆盖多个所述凸起的情况下,所述第二柔性膜层落入到所述第一凹槽中,沿所述柔性膜层本体的厚度方向,所述第二柔性膜层中位于所述第一凹槽的部分的厚度,小于所述第一凹槽的高度;
在所述第一孤岛图案位于所述柔性膜层本体远离多个所述凸起一侧的情况下,所述第二柔性膜层落入到相邻所述第一孤岛图案之间的间隙中;
所述第二间隔层包括多个间隔设置的第二孤岛图案,每个所述第二孤岛图案与一个所述凸起位置对应,相邻所述第二孤岛图案之间的间隙在所述柔性膜层本体上的投影和所述第一重叠区域具有第二重叠区域。
3.根据权利要求2所述的柔性衬底基板,其特征在于,
在所述第一孤岛图案覆盖多个所述凸起的情况下,由所述凸起、所述第一孤岛图案、以及所述第二孤岛图案界定出的第二凹槽中填充有有机材料,沿所述柔性膜层本体的厚度方向,所述第二凹槽中所有所述有机材料的高度小于所述第二凹槽的高度;
在所述第一孤岛图案位于所述柔性膜层本体远离多个所述凸起一侧的情况下,相邻所述第二孤岛图案的间隙填充有有机材料。
4.根据权利要求2或3所述的柔性衬底基板,其特征在于,所述第一孤岛图案和所述第二孤岛图案在所述柔性膜层本体上的投影,与所述凸起在所述柔性膜层本体上的投影重叠。
5.根据权利要求1或2所述的柔性衬底基板,其特征在于,所述第一间隔层还包括位于相邻所述第一孤岛图案之间的第一保护图案;所述第二间隔层还包括位于相邻所述第二孤岛图案之间的第二保护图案;
所述第一保护图案的厚度小于所述第一孤岛图案的厚度,所述第二保护图案的厚度小于所述第二孤岛图案的厚度。
6.根据权利要求2所述的柔性衬底基板,其特征在于,所述第一柔性膜层的厚度大于所述第二柔性膜层的厚度。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的柔性衬底基板。
8.一种柔性衬底基板的制备方法,其特征在于,包括:
制作第一柔性膜层,所述第一柔性膜层包括柔性膜层本体、及位于所述柔性膜层本体一侧表面上的多个间隔设置的凸起;
在所述第一柔性膜层上形成第一间隔层,所述第一间隔层包括多个间隔设置的第一孤岛图案;
其中,每个所述凸起与一个所述第一孤岛图案位置对应,相邻所述凸起之间的间隙和相邻所述第一孤岛图案之间的间隙,在所述柔性膜层本体上的投影具有第一重叠区域;
在所述第一孤岛图案覆盖多个所述凸起的情况下,由所述凸起和所述第一孤岛图案界定出的第一凹槽中填充有有机材料,沿所述柔性膜层本体的厚度方向,所述有机材料的高度小于所述第一凹槽的高度;
在所述第一孤岛图案位于所述柔性膜层本体远离多个所述凸起一侧的情况下,相邻所述第一孤岛图案的间隙填充有有机材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的