[发明专利]一种黑硅的碱修饰方法

说明书

本发明公开了一种黑硅的碱修饰方法，包括：步骤1，对金刚线多晶硅片进行反应离子刻蚀，在所述金刚线多晶硅片表面形成绒面；步骤2，将所述金刚线多晶硅片置于质量比为2％～5％的KOH溶液与质量比为3％～10％的H₂O₂溶液的混合溶液中清洗1.5min～2.5min。所述黑硅的碱修饰方法，通过将所述金刚线多晶硅片置于质量比为2％～5％的KOH溶液与质量比为3％～10％的H₂O₂溶液的混合溶液中进行碱修饰，可以大幅度增加清洗时间，提高对绒面的碱修饰的控制效果，工艺窗口大，可控性和量产性好，降低了工艺难度，提高了产品的良品率，而且处理过程简单，使用基本的常用化学溶液即可，增加成本非常有限。

技术领域

本发明设计黑硅太阳能电池技术领域，特别是涉及一种黑硅的碱修饰方法。

背景技术

随着光伏产业的不断发展，由于其发电成本的不断下降和对环境的低污染，逐步取代传统的高污染的化石能源。而现有的光伏电池的竞争是发电成本和电池效率的竞争。

在太阳能电池生产过程中，硅片成本占据整体生产的比重最大，为进一步提高产品的竞争力，为降低成本，一般引入金刚线切片工艺。金刚线切割多晶硅片使用多晶黑硅制绒方法，常见的有干法黑硅(反应离子刻蚀)和湿法黑硅(金属催化化学腐蚀)，这两种黑硅工艺后期都需要有碱洗进行碱洗修饰。但是碱洗工艺对绒面形貌以及后期效率有较大的影响且很难控制。

现在的干法黑硅(RIE)后期都要进行碱修饰处理中，大多采用低浓度(0.1％以下)的碱溶液进行去除多孔硅，修饰时间20s以内，时间短修饰不够，时间长会使得绒面结构受到破坏，影响电池效率，量产时补液(约5ml/200pcs)有偏差使得碱处理后的反射率波动较大。

发明内容

本发明的目的是提供了一种黑硅的碱修饰方法，提高碱修饰的可控性，提高产品的良品率，降低工艺成本。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种黑硅的碱修饰方法，包括：

步骤1，对金刚线多晶硅片进行反应离子刻蚀，在所述金刚线多晶硅片表面形成绒面；

步骤2，将所述金刚线多晶硅片置于质量比为2％～5％的KOH溶液与质量比为3％～10％的H₂O₂溶液的混合溶液中清洗1.5min～2.5min。

其中，在所述步骤1之前，还包括：

步骤3，对所述金刚线多晶硅片进行预制绒。

其中，所述步骤3包括：

对所述金刚线多晶硅片采用HF/HNO₃溶液进行预制绒。

其中，所述步骤1包括：

在SF6和O2氛围下对所述金刚线多晶硅片表面进行反应离子刻蚀，在所述硅表面形成绒面。

其中，在所述步骤4之后，

步骤4，去除所述金刚线多晶硅片表面的氧化层。

其中，在所述步骤4之后，包括：

步骤5，对所述金刚线多晶硅片采用HF与HCl的混合溶液进行清洗，去除所述金刚线多晶硅片表面的金属离子，使的所述金刚线多晶硅片疏水。

其中，在所述步骤5之后还包括：

对所述金刚线多晶硅片采用丙酮、无水乙醇和去离子水逐步清洗。

本发明实施例所提供的黑硅的碱修饰方法，与现有技术相比，具有以下优点：