[发明专利]一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法

说明书

本发明公开了一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。其中，基底边缘保护装置包括底座，设置在底座工作侧边缘的抓取部件，用于抓取和固定基底边缘保护环，设置在底座工作侧翘曲处理机构，翘曲处理机构的工作面上有多个吹气孔，以及与吹气孔连通的进气孔，通过吹气孔吹气以对基底进行整平。本发明实施例提供的基底边缘保护装置，在底座工作侧设置翘曲处理机构，通过翘曲处理机构向工件台上的翘曲基底吹正压气体，将翘曲基底整平，使基底完全吸附在吸盘上，实现了对大翘曲量基底的整平，提高了基底曝光质量和良率；此外，基底整形和基底边缘保护环的放置都可以通过该基底边缘保护装置实现，简化了曝光流程，从而提高了生产效率。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法。

背景技术

光刻设备主要用于集成电路IC或其他微型器件的制造。通过光刻设备，可将掩膜版图案成像到涂覆有光刻胶的基底上，基底通常为硅片。基底通常由工件台上的吸盘通过真空吸附的方式固定，工件台带动吸附有硅片的吸盘移动，按照预定的路线和速度到达正确的位置，完成光刻过程。

随着穿过硅片通道(Through Silicon Vias，TSV)技术的发展，硅片的不断减薄以及硅片键合工艺，导致硅片自身存在不确定的翘曲，在硅片翘曲处和吸盘表面形成了间隙，当吸盘打开真空时，吸盘与硅片之间就会出现真空泄露，无法满足正常情况下的真空阈值，导致硅片吸附的可靠性降低，甚至出现据片的情况，大大影响了生产效率。此外，硅片吸附可靠性降低将影响光刻设备的焦深(focus)和套刻精度(overlay)，体现在其上下表面的面型精度以及自身的夹持变形量，从而影响硅片曝光质量和硅片良率。

现有技术无法对大翘曲量的硅片进行曝光，此外，需要额外设置硅片边缘保护装置，传送保护环，完成对硅片边缘的上环遮盖，保护硅片边缘在曝光过程中不会被曝光，其中，保护环是一种中央部分镂空，边缘为实体的遮光屏蔽物件。这无疑增加了整个曝光工艺的流程和时间，降低了生产效率。

发明内容

本发明提供一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法，以实现对大翘曲量基底的整平，提高了基底曝光质量和良率；简化了曝光流程，从而提高了生产效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种基底边缘保护装置，该基底边缘保护装置包括：

底座；

设置在底座工作侧边缘的抓取部件，抓取部件用于抓取和固定基底边缘保护环；

设置在底座工作侧翘曲处理机构，翘曲处理机构包括形成在工作面上的多个吹气孔，以及与吹气孔连通的进气孔，翘曲处理机构用于通过吹气孔吹气以对基底进行整平。

可选的，翘曲处理机构为与基底边缘保护环固定区域同心的环状结构，且翘曲处理机构位于基底边缘保护环固定区域内侧。

可选的，多个吹气孔以翘曲处理机构工作面所在的圆心形成同心圆排布。

可选的，翘曲处理机构上的多个吹气孔中至少部分连通。

可选的，进气孔为一个或多个。

可选的，底座内形成送气管道，送气管道的出气孔与翘曲处理机构的进气孔连通。

可选的，抓取部件包括至少3个沿底座工作侧边缘等距排布的卡爪。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光刻设备，该光刻设备包括第一方面所述的基底边缘保护装置，还包括工件台，工件台用于放置基底。

可选的，该光刻设备还包括置环盒，置环盒至少设有2个置环空间，用于存放不同规格的基底边缘保护环。

可选的，置环盒的每一个置环空间内设有定位机构，用于对基底边缘保护环进行定位。

可选的，定位机构包括2个靠销和1个活动的气缸顶针。