[发明专利]一种滤蓝光增透膜及其制备方法

权利要求书

1.一种滤蓝光增透膜，其特征在于所述滤蓝光增透膜为不同吸收边波长λ的滤蓝光增透膜；所述滤蓝光增透膜的吸收边波长λ的值为400-500nm，滤蓝光增透膜对300~（λ-15）nm波段范围的蓝光的平均吸收率大于99%，而对（λ+15）~780nm波段范围的可见光的平均透射率大于95%；所述滤蓝光增透膜从基材（1）的内面到外依次设有第一层Cd_xZn_1-xO膜层（2）、第二层Al₂O₃膜层（3）、第三层Cd_xZn_1-xO膜层（4）、第四层Al₂O₃膜层（5）；所述第一层Cd_xZn_1-xO膜层（2）和第三层Cd_xZn_1-xO膜层（4）中的Cd组分x值为0.1-0.3，对应滤蓝光增透膜的吸收边波长λ的值为400-500nm；所述滤蓝光增透膜由下述方法制备的：1）根据滤蓝光增透膜预期吸收边波长λ确定第一层Cd_xZn_1-xO薄膜（2）和第三层Cd_xZn_1-xO膜层（4）中的Cd组分x值；2）通过薄膜光学的基本知识和分析方法，结合软件进行优化，使滤蓝光增透膜在（λ+15）~780nm波段范围内的平均透射率大于95%，模拟计算得到第一层Cd_xZn_1-xO膜层（2）的厚度h₁、第二层Al₂O₃膜层（3）的厚度h₂、第三层Cd_xZn_1-xO膜层（4）的厚度h₃及第四层Al₂O₃膜层（5）的厚度h₄；3）采用双靶反应磁控共溅射方法在透明基材（1）上生长出第一层Cd_xZn_1-xO薄膜（2），厚度h₁为15-25nm；4）采用磁控溅射方法在第一层Cd_xZn_1-xO薄膜（2）上面生长第二层Al₂O₃薄膜（3），厚度h₂为30-50nm；5）采用双靶反应磁控共溅射方法在第二层Al₂O₃薄膜（3）上生长第三层Cd_xZn_1-xO薄膜（4），厚度h₃为65-95nm；6）采用磁控溅射方法在第三层Cd_xZn_1-xO薄膜（4）上面生长第四层Al₂O₃薄膜（5），厚度h₄为80-100nm；最终制备获得滤蓝光增透膜。

2.如权利要求1所述的一种滤蓝光增透膜，其特征在于所述的基材（1）为PET膜、热塑性聚酯、玻璃、石英或蓝宝石。

3.如权利要求1所述的一种滤蓝光增透膜，其特征在于所述生长的第一层Cd_xZn_1-xO薄膜和生长的第三层Cd_xZn_1-xO薄膜（4）的双靶反应磁控共溅射方法为以Zn和Cd金属靶为溅射靶材，两个靶同时溅射生长Cd_xZn_1-xO薄膜，将真空室的压强抽到小于5×10^-4Pa，通入流量为10-50sccm的氩气和流量为5-15sccm的氧气，调节真空室压强稳定在0.1-2Pa，Zn靶施加射频功率P₁的值为100W，Cd靶施加射频功率P₂的值为20-50W，通过调节Cd靶施加射频功率P₂的值控制Cd_xZn_1-xO薄膜的Cd组分x值，利用膜厚仪监控Cd_xZn_1-xO薄膜的厚度。