[发明专利]半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法在审

专利信息
申请号: 201810296240.9 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN108695251A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 内田慎一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L23/64;H03B5/12;H03F3/45
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体装置 电感器 电子电路 第一层 布线 固定电势 堆叠
【说明书】:

本发明涉及半导体装置、包含其的电子电路以及半导体装置形成方法。一种半导体装置包括:形成在第一层中并且指示固定电势的多个第一导线;以及形成在堆叠于第一层上的第二层中的电感器,并且在平面图中,多个第一导线中的位于电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度被形成为比位于电感器的形成区域的范围之外的第一导线的布线宽度窄。

技术领域

本发明涉及半导体装置、包括该半导体装置的电子电路以及半导体装置形成方法。更具体地,本发明涉及,例如,适于在不增加电路规模的情况下抑制电感器的特性劣化的半导体装置、包括该半导体装置的电子电路以及半导体装置形成方法。

背景技术

随着数字电路的速度变得越来越快,存在着放大数字信号的放大器电路通过使用电感器作为负载来执行匹配从而增加高频输入信号的增益的需求。

当电感器与电子电路一起形成在半导体衬底上时,由电感器产生的磁通量在诸如电源电压和接地电压之类的固定电势向其传播的导线上产生反电动势电流。存在电感器受反电动势电流产生的磁通量的影响并且因此无法正常工作的问题。

在日本未审查的专利申请公开号2011-199225中公开了该问题的解决方案。日本未审查的专利申请公开号2011-199225中公开的半导体装置包括在电感器元件和导线之间的屏蔽导体(屏蔽件),以防止由导线上的反电动势电流产生的磁通量使电感器的特性劣化。

发明内容

然而,根据日本未审查的专利申请公开号2011-199225的配置需要额外地包括屏蔽件,并因此具有电路规模增大的问题。从说明书的描述和附图中,相关技术的其他问题以及本发明的新颖特征将变得显而易见。

根据一个实施例,一种半导体装置包括:在第一层中形成并被配置为指示固定电势的多个第一导线;以及在堆叠于第一层上的第二层中形成的电感器,以及在平面图中,多个第一导线中的位于电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度被形成为比位于电感器的形成区域的范围之外的第一导线的布线宽度窄。

根据另一个实施例,一种半导体装置包括:在第一层中形成的多个第一导线;在堆叠于第一层上的第二层中形成的与所述多个第一导线交叉的多个第二导线;在多个第一导线和多个第二导线的交叉处形成的多个第一过孔;以及在堆叠于第一层和第二层上的第三层中形成的电感器,并且在平面图中,多个第一过孔被布置成使得在由所述多个第一导线、所述多个第二导线和所述多个第一过孔形成的多个电流路径回路中的具有最小长度的回路的长度比预定长度长。

根据又一个实施例,一种用于形成半导体装置的方法包括:在第一层中形成被配置为指示固定电势的多个第一导线;以及在堆叠于第一层上的第二层中形成电感器,并且在形成多个第一导线中,在平面图中,多个第一导线中的位于电感器的形成区域的范围内的第一导线的布线宽度与位于电感器的形成区域的范围之外的第一导线的布线宽度相比被窄化。

一个实施例可以提供一种在不增加电路规模的情况下抑制电感器的特性劣化的半导体装置、包括该半导体装置的电子电路以及半导体装置形成方法。

附图说明

从结合附图的对某些实施例的以下描述中,以上和其他方面、优点和特征将更加显而易见,其中:

图1是图示根据第一实施例的半导体装置的布局配置示例的示意平面图;

图2是在图1中图示的半导体装置的示意性横截面图;

图3是图示布置有保护环的情况下的半导体装置的布局配置示例的示意平面图;

图4是在图3中图示的半导体装置的示意性横截面图;

图5是用于解释根据第一实施例的半导体装置的效果的图;

图6是图示另一形状的电感器的示意平面图;

图7是图示又一形状的电感器的示意平面图;

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