[发明专利]形成半导体装置的方法

说明书

本公开提供半导体装置与其形成方法。在一实施例中，方法包括提供结构，其包括：基板；第一栅极结构与第二栅极结构，位于基板上；第一源极/漏极结构，包括硅并与第一栅极结构相邻；第二源极/漏极结构，包括硅锗并与第二栅极结构相邻；以及一或多个介电层，位于第一栅极结构与第二栅极结构的侧壁上，并位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构上。方法还包含蚀刻介电层，形成开口以露出该第一源极/漏极结构与该第二源极/漏极结构；形成掩模层于第一源极/漏极结构上；在掩模层位于第一源极/漏极结构上时，注入镓至第二源极/漏极结构；移除掩模层；以及以含氧原子的蚀刻剂蚀刻第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。

技术领域

本公开实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于形成源极/漏极接点于半导体装置(特别是鳍状场效晶体管)中。

背景技术

半导体集成电路产业已经历指数成长。集成电路材料与设计的技术进展，使每一代的集成电路均比前一代具有更小且更复杂的电路。在集成电路的演进中，功能密度(单位芯片面积所具有的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(如最小构件或线路)减少而增加。尺寸缩小的工艺通常有利于增加产能并降低相关成本。上述尺寸缩小亦增加集成电路的工艺复杂度。为实现上述进展，集成电路工艺亦需类似进展。

举例来说，在形成源极/漏极接点以用于小尺寸晶体管如具有鳍状沟道的场效晶体管(一般称作鳍状场效晶体管)时，有时需使源极/漏极结构凹陷化以降低接点电阻。然而使源极/漏极结构凹陷化的工艺有时会移除过多预应力的外延材料，造成应力损失并劣化装置效能。

如此一来，需要改善源极/漏极接点的形成方法。

发明内容

本公开一实施例提供的形成半导体装置的方法，包括：提供结构，其包括：基板；第一栅极结构与第二栅极结构，位于基板上；第一源极/漏极结构，包括硅并与第一栅极结构相邻；第二源极/漏极结构，包括硅锗并与第二栅极结构相邻；以及一或多个介电层，位于第一栅极结构与第二栅极结构的侧壁上，并位于第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构上；蚀刻介电层，形成多个开口以露出第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构；形成掩模层于第一源极/漏极结构上；在掩模层位于第一源极/漏极结构上时，注入镓至第二源极/漏极结构；移除掩模层；以及以含氧原子的蚀刻剂蚀刻第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。

附图说明

图1A与图1B系本公开实施例中，形成半导体装置的方法其流程图。

图2A与图2B系本公开实施例中，形成半导体装置的另一方法其流程图。

图3A与图3B系本公开实施例中，形成半导体装置的又一方法其流程图。

图4A、图5A、图6A、图7A、图13A、图14A、图15A、与图16A系本公开实施例中，依据图1A、图1B、图2A、图2B、图3A、与图3B的方法形成的半导体装置的部分，于多种制作阶段中沿着鳍状物长度方向的剖视图。

图4B、图5B、图6B、图7B、图13B、图14B、图15B、与图16B系本公开实施例中，依据图1A、图1B、图2A、图2B、图3A、与图3B的方法形成的半导体装置的部分，于多种制作阶段中沿着鳍状物宽度方向的剖视图。

图8A、图9A、图10A、图11A、与图12A系本公开实施例中，依据图1A与图1B的方法形成的半导体装置的部分，于多种制作阶段中沿着鳍状物长度方向的剖视图。

图8B、图9B、图10B、图11B、与图12B系本公开实施例中，依据图1A与图1B的方法形成的半导体装置的部分，于多种制作阶段中沿着鳍状物宽度方向的剖视图。

图17A、图18A、图19A、图20A、与图21A系本公开实施例中，依据图2A与图2B的方法形成的半导体装置的部分，于多种制作阶段中沿着鳍状物长度方向的剖视图。