[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，其包括步骤：

在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极层；

在栅极层上涂覆光刻胶并光刻，对栅极层和栅极绝缘层进行图形化处理，得到栅极；

对所述栅极绝缘层进行过刻蚀，将位于所述栅极下方的所述栅极绝缘层向所述栅极下方中心位置过刻所述栅极长度的1/5-1/3距离；

剥离光刻胶，利用栅极图形的自对准向栅极图形表面和有源层表面溅射形成导电膜层，并进行图形化处理；

在由所述栅极绝缘层、栅极以及所述导电膜层构成的表面上整体涂覆有机绝缘层；并利用所述栅极作为掩模进行曝光显影；

最后形成保护膜层，并开接触孔。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

过刻的距离等于所述栅极长度的1/4。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

所述栅极层为MoNb层、Cu层以及MoNb层依次叠层设置的叠层结构。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

所述栅极层为MoNb层、Cu层依次层叠设置的叠层结构，所述Cu层相对于MoNb层远离所述有源层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，

所述保护膜层通过涂覆的方法形成；

或，所述保护膜层通过沉积的方法形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，在基板上形成有源层之前，所述方法还包括：

在基板上依次形成遮光层和绝缘层。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，其包括：

从基板算起，依次包括有源层、栅极绝缘层、栅极；

导电膜层，所述导电膜层覆在所述栅极表面，以及位于所述栅极下方栅极图形投影两侧的所述有源层表面；

保护膜层，所述保护膜层将所述有源层、栅极绝缘层、栅极以及导电膜层所构成的整体覆盖；

有机绝缘层，所述有机绝缘层设置在所述栅极投影的下方，位于所述栅极绝缘层和导电膜层之间，并填充在所述栅极绝缘层侧面一周。