[发明专利]温度检测电路及使用其的植入式医疗装置在审
申请号: | 201810297871.2 | 申请日: | 2018-04-03 |
公开(公告)号: | CN109960304A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 颜雨;陈方雄 | 申请(专利权)人: | 苏州景昱医疗器械有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阈值电压 温度检测电路 基准电流 温度电压 电路 电压生成电路 温度系数 基准电流生成电路 植入式医疗装置 第二控制信号 第一控制信号 基准电压电路 温度变化影响 温度传感电路 基准电压 输出 可调的 能耗 | ||
1.一种温度检测电路,其特征在于,所述温度检测电路包括:
温度传感电路,被配置为获取随温度变化的温度电压;
基准电流生成电路,包括电流源以及与所述电流源的输出端相连接的温度系数调节电路,所述温度系数调节电路被配置为将所述电流源生成的电流调节为温度系数为零的基准电流;
修调电路,包括第一镜像电路,所述第一镜像电路被配置为将所述基准电流呈比例地镜像修调为修调电流;
电压生成电路,包括基准电压电路、阈值电压电路和第二镜像电路,所述第二镜像电路被配置为将所述修调电流镜像至所述基准电压电路和阈值电压电路以生成温度系数为零的基准电压和与第一阈值温度对应的阈值电压;
比较电路,被配置为将所述温度电压与阈值电压相比较,若所述温度电压大于阈值电压,则输出第一控制信号,若所述温度电压小于等于阈值电压,则输出第二控制信号。
2.根据权利要求1所述的温度检测电路,其特征在于,所述温度系数调节电路包括第一支路和第二支路,所述第一支路配置有第一MOS管和第一双极性晶体管,所述第二支路配置有第二MOS管和第二双极性晶体管;其中,所述第一MOS管和第二MOS管的输出端分别对应连接于第一双极性晶体管和第二双极性晶体管的输入端。
3.根据权利要求2所述的温度检测电路,其特征在于,所述温度系数调节电路还包括第三支路,所述第三支路配置有连接于所述第一MOS管的输出端和温度检测电路的接地端之间的第一调节电阻;所述第一支路上配置有连接于所述第一MOS管的输出端和第一双极性晶体管的输入端之间的第二调节电阻,通过改变所述第一调节电阻和第二调节电阻的阻值以调节所述基准电流的温度系数。
4.根据权利要求2所述的温度检测电路,其特征在于,所述第一MOS管和第二MOS管的栅极的面积比设置为第一预设面积比。
5.根据权利要求2所述的温度检测电路,其特征在于,所述第一双极性晶体管和第二双极性晶体管的发射极的面积比设置为第二预设面积比。
6.根据权利要求1所述的温度检测电路,其特征在于,所述第一镜像电路包括第一修调晶体管和第二修调晶体管,所述第二修调晶体管的栅极对应连接于所述第一修调晶体管的栅极。
7.根据权利要求6所述的温度检测电路,其特征在于,所述修调电路通过并联多个所述第二修调晶体管以改变所述第二修调晶体管与第一修调晶体管的晶体管数量比,以将所述基准电流呈比例地镜像修调为修调电流。
8.根据权利要求1所述的温度检测电路,其特征在于,所述阈值电压电路包括阈值电阻,所述阈值电阻设置为可调电阻以配合所述修调电流生成相应的阈值电压。
9.根据权利要求1所述的温度检测电路,其特征在于,所述阈值电压电路还包括被配置为生成迟滞电压的迟滞电路,所述第二控制信号生成后激活迟滞电路使所述阈值电压转换为与第二阈值温度对应的迟滞电压,并将与所述温度电压与迟滞电压通过比较电路进行比较,若所述温度电压小于等于迟滞电压,所述比较电路持续输出第二控制信号,若所述温度电压大于迟滞电压,所述比较电路输出第一控制信号。
10.根据权利要求9所述的温度检测电路,其特征在于,所述迟滞电路包括迟滞电阻,所述第二控制信号激活迟滞电路后,所述迟滞电阻接入所述阈值电压电路,配合所述修调电流生成迟滞电压。
11.根据权利要求1所述的温度检测电路,其特征在于,所述比较电路包括滤波电路和电压比较器,所述滤波电路的输出端连接于电压比较器的输入端,所述滤波电路用以去除进入所述电压比较器中电压的瞬态信号并使电压的值平滑化。
12.根据权利要求11所述的温度检测电路,其特征在于,所述电压比较器的输出端串联有两个电压反向器,对所述电压比较器的输出信号进行整形和平衡信号延时。
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